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| PECVD SiN_x薄膜应力的研究 | |
| 引用本文： | 赵永军,王民娟,杨拥军,梁春广.PECVD SiN_x薄膜应力的研究[J].半导体学报,1999,20(3):183-187. |
| 作者姓名： | 赵永军 王民娟 杨拥军 梁春广 |
| 作者单位： | 电子部第13研究所!石家庄050002 |
| 摘 要： | 等离子增强化学气相淀积(Plasma-enhancedChemicalVaperDeposition,PECVD)SiNx薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要.它的一个重要的物理参数——机械应力,也逐渐被人们所重视.本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系.讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理.通过工艺条件的合理选择,做出了0.8～1.0μm厚的无应力的PECVDSiNx薄膜 |
| 关 键 词： | 氮化硅 PECVD法 薄膜应力 |
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