| 气体压强对磷掺杂a-Si:H薄膜电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈宇翔,李伟,金鑫,蒋亚东,廖乃镘,蔡海洪,李志,龚宇光.气体压强对磷掺杂a-Si:H薄膜电学性能的影响[J].半导体光电,2009,30(4). |
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| 作者姓名： | 陈宇翔 李伟 金鑫 蒋亚东 廖乃镘 蔡海洪 李志 龚宇光 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,光电信息学院,成都,610054
2. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 摘 要： | 用射频等离子增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80 Pa)对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响;利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的电学性能进行了综合讨论.结果表明:随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的暗电导逐步减小,但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大;同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化.
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| 关 键 词： | 气体压强 氢化非晶硅薄膜 电学性能 喇曼光谱 |
Effect of Gas Pressure on the Electrical Properties of P-doped a-Si:H Thin Films |
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| CHEN Yu-xiang,LI Wei,JIN Xin,JIANG Ya-dong,LIAO Nai-man,CAI Hai-hong,LI Zhi,GONG Yu-guang.Effect of Gas Pressure on the Electrical Properties of P-doped a-Si:H Thin Films[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(4). |
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| Authors: | CHEN Yu-xiang LI Wei JIN Xin JIANG Ya-dong LIAO Nai-man CAI Hai-hong LI Zhi GONG Yu-guang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD |
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