| 纳米VO2多晶材料的低温相变和随机阻抗网络模型 |
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| 引用本文： | 熊笔锋,马宏.纳米VO2多晶材料的低温相变和随机阻抗网络模型[J].半导体光电,2009,30(4):571-573. |
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| 作者姓名： | 熊笔锋 马宏 |
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| 作者单位： | 深圳化合物半导体研究院,广东,深圳,518107;深圳化合物半导体研究院,广东,深圳,518107 |
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| 摘 要： | 制备了纳米VO2多晶薄膜材料,其相变温度为35℃,实验测量了它的电阻-温度(R-T)曲线和热滞回线,并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟,两者显示出结果一致,表明在低温相变温度35℃下,随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-T曲线和热滞回线.此外,给出了VO2多晶材料在半导体区和金属区的简化随机阻抗网络模型的电阻公式.
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| 关 键 词： | 纳米VO2 热滞回线 随机阻抗网络模型 |
Low Temperature Phase Transition and Random Resistor Network in Nano-VO2 Polycrystalline Thin Films |
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| XIONG Bi-feng,MA Hong.Low Temperature Phase Transition and Random Resistor Network in Nano-VO2 Polycrystalline Thin Films[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(4):571-573. |
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| Authors: | XIONG Bi-feng MA Hong |
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