| SiC热氧化SiO2的红外光谱研究 |
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| 引用本文： | 田晓丽,龚敏,曹群,石瑞英.SiC热氧化SiO2的红外光谱研究[J].半导体光电,2009,30(1):80-83. |
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| 作者姓名： | 田晓丽 龚敏 曹群 石瑞英 |
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| 作者单位： | 四川大学物理学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都610065;四川大学物理学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都610065;四川大学物理学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都610065;四川大学物理学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都610065 |
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| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷,影响SiO2层的质量、SiO2/SiC界面及SiC MOS器件的击穿特性.采用红外光谱技术研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2层,分析和讨论了SiO2氧化层及界面态的红外反射特征峰,对偏振入射光与SiO2振动模的相互作用进行了分析.对C元素的红外光谱学表征进行了初步研究,从而为工艺中对SiO2层中C元素的实时检测和进一步改善SiC MOS器件电学特性的研究打下基础.
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| 关 键 词： | 红外反射光谱 6H-SiC 空位型缺陷 偏振 界面态 |
Infrared Spectroscopy of SiO2 Film Grown on SiC by Thermal Oxidation |
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| TIAN Xiao-li,GONG Min,CAO Qun,SHI Rui-ying.Infrared Spectroscopy of SiO2 Film Grown on SiC by Thermal Oxidation[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(1):80-83. |
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| Authors: | TIAN Xiao-li GONG Min CAO Qun SHI Rui-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 6H-SiC |
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