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| 短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型 | |
| 作者姓名： | 黄庆安 吕世骥 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心，东南大学微电子中心，东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性. |
| 关 键 词： | 离子注入 晶体管模型 MESFET GaAs |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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