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| 微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究 | |
| 引用本文： | 张永平,顾有松,高鸿钧,张秀芳.微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究[J].物理学报,2001,50(7):1398-1400. |
| 作者姓名： | 张永平 顾有松 高鸿钧 张秀芳 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心北京真空物理实验室,北京 100080 2. 北京科技大学材料物理系,北京 100083 |
| 摘 要： | 采用微波等离子体化学气相沉积法，用高纯氮气（99．999％）和甲烷（99．9％）作反应气体，在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜，利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌，表明薄膜由密排的六棱晶棒组成，X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β－C3N4和α－C3N4组成，并且这些结果与a-C3N4相符合较好，由虎克定律近似关系式计算了α－和β－C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱，实验结果支持C－N共价键的存在。 |
| 关 键 词： | 微波等离子体 化学气相沉积法 C3N4薄膜 结构研究 |
STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF C_3N_4 THIN FILMS SYNTHESIZED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
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| Abstract: | |
| Keywords: | C 3N 4 microwave plasma chemical vapor deposition thin film deposition |
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