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微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究
引用本文:
张永平,顾有松,高鸿钧,张秀芳.微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究[J].物理学报,2001,50(7):1398-1400.
作者姓名:
张永平
顾有松
高鸿钧
张秀芳
作者单位:
1. 中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心北京真空物理实验室,北京 100080
2. 北京科技大学材料物理系,北京 100083
摘 要:
采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜,利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成,X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β-C3N4和α-C3N4组成,并且这些结果与a-C3N4相符合较好,由虎克定律近似关系式计算了α-和β-C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱,实验结果支持C-N共价键的存在。
关 键 词:
微波等离子体
化学气相沉积法
C3N4薄膜
结构研究
STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF C_3N_4 THIN FILMS SYNTHESIZED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Abstract:
Keywords:
C
3N
4
microwave plasma chemical vapor deposition
thin film deposition
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