| Al/GaSb异质结的慢正电子研究 |
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| 引用本文： | 王海云,翁惠民,C. C. Ling,叶邦角,周先意. Al/GaSb异质结的慢正电子研究[J]. 化学物理学报, 2006, 19(2): 169-172 |
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| 作者姓名： | 王海云 翁惠民 C. C. Ling 叶邦角 周先意 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学近代物理系 合肥230026(王海云，翁惠民，叶邦角，周先意)，香港大学物理系 香港(C．C．Ling) |
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| 摘 要： | 用单能慢正电子束和 X 射线衍射方法研究了 Al/n-GaSb 金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既 Al/界面/GaSb 对 S-E 实验数据进行拟合.结果发现在未退火样品的 Al 和 GaSb 之间存在一个厚度大约5nm 的界面层.在经过400℃退火后,该界面厚度增加到约400nm,且 S 参数下降.这可能是由于在退火过程中,界面区域的原子在界面处相互扩散所引起的.Al 膜的 S_(Al)参数降低且效扩散长度 L_(Al)增加,说明 Al 膜内的空位缺陷经过退火被消除且进行结构重整,晶格结构不断变好的结果.衬底 GaSb 的 S_B 参数和有效扩散长度 L_B 的演变表明,经过250℃退火后,原有的正电子捕获中心消失：但是经进一步400℃退火,又产生了新的正电子捕获中心.这可能来源于其他类型的与 V_(Ga)相关缺陷的正电子捕获以及 Ga_(Sb)晶格反位引起的正电子浅捕获.X 射线衔射的测量结果证实了正电子方法的结论.
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| 关 键 词： | 正电子 Al／GaSb 异质结构 缺陷 界面 捕获 |
Al/GaSb Contact with Slow Positron Beam |
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| Hai-yun Wang,Hui-min Weng,C. C. Ling,Bang-jiao Ye and Xian-yi Zhou. Al/GaSb Contact with Slow Positron Beam[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2006, 19(2): 169-172 |
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| Authors: | Hai-yun Wang Hui-min Weng C. C. Ling Bang-jiao Ye Xian-yi Zhou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Positron Defect Trapping Al/GaSb Interface |
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