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直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度
引用本文:王欣,高丽娟,于陕升,郑伟涛,徐娓,郭巍,杨开宇.直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度[J].发光学报,2003,24(4):431-434,T002.
作者姓名:王欣  高丽娟  于陕升  郑伟涛  徐娓  郭巍  杨开宇
作者单位:1. 吉林大学,材料科学与工程学院
2. 吉林大学,化学系
3. 吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023
摘    要:利用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体,通过改变放电气体中N2的流量(N2流量比分别为5%,10%,30%,50%)及溅射时间(160,30,20,10,5min),在玻璃衬底上沉积了FexN薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)方法确定了不同N2流量下薄膜的成分;X射线衍射(XRD)方法分析了不同N2流量下的FexN薄膜结构,当N2流量比为5%时获得了FeN0 056相,10%时为ε Fe3N相,30%和50%流量比下均得到FeN相。利用原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线散射(GIXA)方法研究了膜表面的粗糙度和形貌,发现随着N2流量的增加,薄膜表面光滑度增加,薄膜表面呈现自仿射性质。动力学标度方法定量分析表明:薄膜表面因不同N2流量的影响而具有不同的动力学指数,当氮气流量比为5%时,静态标度指数α≈0 65,生长指数β≈0 53±0 02,薄膜生长符合基于Kolmogorov提出的能量波动概念的KPZ模型指数规律。

关 键 词:氮化铁薄膜  直流磁控溅射  薄膜生长  动力学标度
文章编号:1000-7032(2003)04-0431-04

Kinetic Scaling of Iron Nitride Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering
Abstract:
Keywords:iron nitride thin films  kinetic scaling  DC magnetron sputtering
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