In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.     

二(μ-2-(2-吡啶基)乙氧基)·四乙基合二铟(Ⅲ)的合成及晶体结构

本文报道通过1-(2-吡啶基)-2-丙醇与三乙基铟作用制备得到了一个新的配合物二(μ-2-(2-吡啶基)乙氧基)·四乙基合二铟(Ⅲ)(C₁₂H₂₀NOIn)₂。测定了化合物的晶体结构。化合物具有中心对称结构,属单斜晶系,空间群P2₁/n, 晶胞参数为：a=10.609(2)?, b=10.680(3)?, c=12.012(8)?, β=95.57(5)°, V=1354.5(10)?³, Z=2, F(000)=624, Dc=1.516 g/cm³, μ=1.722 mm^-1;铟以五配位形式存在,两个In-O的键长分别为2.129?和2.249?, ∠InOIn=106.66°, ∠OInO=73.34°。     

含冠醚双西夫碱有机铟配合物的合成研究

由苯并15-冠-5-经二硝基化后还原制得的4’,5’-二氨基苯并-15-冠-5与水杨醛及其衍生物反应,合成了冠醚化双西佛碱L1-L4,再与三乙基铟按摩尔比1∶1反应制得了4种未见报道的铟金属有机配合物,通过元素分析、IR、MS等对配合物的配位结构和某些性质进行了研究.     

二(10-羟基苯并(h)喹啉)·四乙基合二铟(Ⅲ)的合成及晶体结构

通过１０－羟基－苯并（ｈ）喹啉与三乙基铟在苯中反应,合成了二〔１０－羟基苯并（ｈ）喹啉〕·四乙基合二铟（Ⅲ）。用元素分析、质子核磁共振谱、质谱以及Ｘ－射线单晶衍射等分析方法确定了化合物的结构。该化合物晶体属于单斜晶系,空间群为Ｐ２１／ｎ,化学式为： Ｃ１７Ｈ１８ＮＯＩｎ 。晶胞参数： ａ＝ １０．７３８（６）, ｂ＝ ９．２５５（３）, ｃ＝ １５．８６７（３）,β＝ １０８．５２（３）°, Ｖ＝ １４９５．２４０（３） ３, Ｍｒ＝ ３６７．１６, Ｚ＝ ２, Ｄｃ＝ １．６３１ ｇ／ｃｍ ３,μ（ＭｏＫα）＝ １５．７４ｃｍ － １, Ｆ（０００）＝ ７３６．００, Ｒ＝ ０．０５６, ＲＷ ＝ ０．０７５。化合物中铟原子以五配位形式存在,呈变形三角双锥构型,其中２ 个铟原子和２ 两个氧原子构成中心四员环结构,整个分子是由２ 个以氧原子为桥的单核分子组成的二聚体,除与铟相连的乙基（Ｃ（１４）、Ｃ（１５）、Ｃ（１６）、Ｃ（１７）、及Ｃ（１４）、Ｃ（１５）、Ｃ（１６）、Ｃ（１７））外,其余原子组成一大平面结构。