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1.
Thin Ca films were evaporated on Si(1 1 1) under UHV conditions and subsequently annealed in the temperature range 200–650 °C. The interdiffusion of Ca and Si was examined by ex situ Auger depth profiling. In situ monitoring of the Si 2p core-level shift by X-ray photoemission spectroscopy (XPS) was employed to study the silicide formation process. The formation temperature of CaSi2 films on Si(1 1 1) was found to be about 350 °C. Epitaxial growth takes place at T≥400 °C. The morphology of the films, measured by atomic force microscopy (AFM), was correlated with their crystallinity as analyzed by X-ray diffraction (XRD). According to measurements of temperature-dependent I–V characteristics and internal photoemission the Schottky-barrier height of CaSi2 on Si(1 1 1) amounts to qΦBn=0.25 eV on n-type and to qΦBp=0.82 eV on p-type silicon. 相似文献
2.
We obtain upper bounds for the tail distribution of the first nonnegative sum of a random walk and for the moments of the overshoot over an arbitrary nonnegative level if the expectation of jumps is positive and close to zero. In addition, we find an estimate for the expectation of the first ladder epoch. 相似文献
3.
4.
5.
采用从头算CCSD(T)/6-311 G(2d,2p)//B3LYP/6-311G(d,p)方法,研究了自由基-分子反应F CH2CHCH3的各种不同的反应通道.该反应主要是通过复合物形成机制进行,即F分别加到碳碳双键的两端形成自由基复合物1和2.这两种亚稳态自由基会解离成三种产物:H C3H5F、CH3 C2H3F和HF C3H5.理论计算结果表明,生成CH3 C2H3F是反应的主要通道,而生成H C3H5F和HF C3H5对产物也有一定的贡献.这一结果和实验符合得很好. 相似文献
6.
We have proposed a mechanism of nonideality, i.e., the temperature dependence of the ideality factor, in nearly ideal Au/n-Si Schottky barriers. Because of the nature of metal-induced gap states, positively ionized defects close to the interface are considered to cause local lowering of the Schottky barrier height (SBH) due to downward bending of the energy band. These positively charged defects become neutralized in equilibrium with the Fermi level due to the band bending, when they are very close to the interface. However, because the SBH lowering disappears by the neutralization of donor, the energy level of donor with a usual energy level scheme rises above the Fermi level after the neutralization. This contradiction to the equilibrium neutralization is resolved by Si self-interstitial with a large negative-U property, which is generated by the fabrication process. The energy level of the donor estimated from the SBH lowering is in good agreement with that of theoretical calculation of Si self-interstitial. Thus, the defect is concluded to be the Si self-interstitial, which is distributed to more than 10 Å depth from the interface. 相似文献
7.
V. I. Grabovskii 《Fluid Dynamics》2003,38(2):193-202
The optimum shape of the cylindrical internal deformable (flexible) surface of a gas journal bearing of infinite length is designed. The variational problem of determining the clearance shape giving the maximum bearing load capacity is formulated and solved. 相似文献
8.
甲醇和抗坏血酸对蚕豆生长及丙二醛含量的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在土壤肥力及体积相同的花盆中培养蚕豆幼苗,分别用1.5%甲醇、10 mmol.L-1抗坏血酸(ASA)和自来水(CK)喷洒.19 d以后,测定叶片中丙二醛(MDA)的含量、测量对株高、茎粗、叶面积、腋芽的发生作用、比较不同处理的开花时间.结果表明:甲醇、ASA处理后的蚕豆植株比CK营养生长快;甲醇促进腋芽的发生及开花;ASA抑制腋芽的发生并延迟开花;各处理的MDA含量均明显低于CK. 相似文献
9.
许俊杰 《科技情报开发与经济》2007,17(22):268-269
简要介绍了GPS高程测量的原理,结合其在水利工程中的应用实例,对GPS高程测量技术进行了探讨。 相似文献
10.
种内竞争对一年生植物高生长与生物量关系的影响 总被引:14,自引:0,他引:14
通过田间试验研究了两种一年生植物燕麦和箭She豌豆在高密度和低密度条件下表现出来的株高(H)与生物量(M)之间的异速生长关系,并用线性回归和非线性回归的方法对所得数据进行了分析,结果表明,植物在低密度条件下,个体间没有明显的竞争作用存在,株高与生物量之间表现为“简单的异速生长”关系,其异速生长表达式为y=a bx的形式;植物在高密度条件下,个体间存在着激烈的种内竞争,株高与生物量之间表现为“非线性的异速生长”关系,其异速生长表达式为y=ax^2 bx c的形式。 相似文献