基于多环返工串行生产线的性能优化建模

为评价和优化串行多环返工生产系统的生产性能表现，结合质量管理与精益生产的理念，区别于传统的返工机制，提出一种全新的“即刻返工”检查机制，将生产系统建模扩展至多机多缓冲区的复杂生产系统.基于生产系统的两大要素，机器与缓冲区的生产状态变化，依据概率论与马氏定理，构建缓冲水平的动态概率转移矩阵，以在制品库存水平及系统平均生产率作为研究指标，针对生产设备及缓冲区展开瞬态分析，通过迭代计算，表明设置合理的系统规模与缓冲区阈值能达到优化系统生产性能的目的，并通过数值实验验证其有效性.     

民族高校工商管理专业实践教学体系创新研究

围绕工商管理专业培养具有较强实践能力和高素质管理人才的目标,分析当前实践教学中的误区,通过构建全社会参与的工商管理专业人才实践教学社会网络,建立贯穿大学四年学习全周期的五大实践教学培养体系,对工商管理专业学生进行基础素养实践能力和专业素养实践能力培养,探索工商管理专业人才实践能力培养模式和体系。     

轧制道次间插入冷却对特厚钢板组织与性能的影响

使用实验轧机旁冷却装置配合轧机进行轧制实验，研究轧制道次间不同冷却工艺对特厚钢板组织和性能的影响规律.研究结果表明:采用道次间冷却工艺可以在全厚度方向获得组织细化及强韧性提高效果，采用强冷道次间冷却实验钢1/4处晶粒尺寸可细化至10μm，强度为376MPa，-40℃冲击功为169J;心部晶粒尺寸可细化至15μm，强度为360MPa，-40℃冲击功为123J.本工艺可形成470μm厚表层细晶层，晶粒尺寸可细化至5μm;粗轧道次间插入冷却工艺轧制钢板强度和冲击韧性优于中间坯冷却工艺;随冷却强度增加，钢板内部组织明显细化且强度大幅提高.     

基于LQG控制的整车8-DOF系统振动分析

建立了整车8-DOF系统动力学模型,考虑了主动悬架控制,并增设了主动座椅控制,设计了车辆主动悬架系统的LQG控制器。基于Matlab仿真平台建立了整车8-DOF系统动力学仿真模型,对所得最优控制策略下的动态响应进行了仿真验证。仿真结果表明:为了改善人椅系统质心及车身质心的跳振性能需要在一定程度上弱化各轮轮胎动位移性能。从控制效能上来看,该最优控制器能够满足各行驶状态下对悬架性能的要求,改善了车辆的行驶平顺性。     

公共图书馆如何吸引读者参与读者活动

近年来,政府加大了对公共图书馆事业的投入力度,公共图书馆不再仅限于传统的图书借还功能,组织举办读者活动已成为图书馆的重点工作. 分析了公共图书馆举办的读者活动引不起读者兴趣的原因,提出了解决这一问题的对策和建议.     

一个包含Smarandache Ceil函数的对偶函数的方程

利用初等方法研究了一个包含Smarandache Ceil函数Sk(n)的对偶函数-Sk(n),给出了当k=6时方程-S6(1)+-S6(2)+…+-S6(n)=6Ω(n)的具体正整数解。     

政府采购政策带动国内企业自主创新的积极性——兼述《关于实施〈国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006—2020年)〉的若干配套政策》实施进展

政府采购是促进我国自主创新的一项重要政策o《国家中长期科学与技术发展规划纲要(2006—2020年)》(以下简称《纲要》)提出,要"实施促进自主创新的政府采购"。有关部委出台了多项实施细财和配套文件,形成了较完整的自主创新产品政府采购政策体系。地方政府也积极开展政府采购实践,较好地带动了国内企业自主创新的积极性。本文就《纲要》颁布以来,我国政府采购政策体系建设取得的进展与成效,以及领域专家提出的有关建议进行了综合报道。     

财政性科技经费监管体系探析

我国初步建立了财政性科技经费监管体系,但是在监督主体、监督制度等方面还存在缺陷,科技经费监督出现诸多问题。建立要加强宏观层面的统筹规划,建立由政府、承担单位和外部主体上下联动、横向联合的立体监督体系。     

Crystallization of Poly(ethylene adipate) within γ-Phase Poly(vinylidene fluoride) Matrix

The effects of PEA on the γ-phase PVDF crystal structure and the crystallization of PEA within the pre-existing γ-phase PVDF spherulites have been investigated by optical microscopy(OM), infrared spectroscopy(IR) and scanning electron microscopy(SEM). The results demonstrate that the γ-phase PVDF spherulites consist of the lamellae exhibiting a highly curved scroll-like morphology and develop preferentially in PEA-rich blend. With increasing PEA concentration, the scroll diameter increases and the scrolls are better separated from each other. PEA crystallizes first in the interspherulitic region and transcrystalline layer develops. Subsequently, the transcrystalline layer of PEA continues to grow within the γ-phase PVDF spherulites, e.g., in the region between the scrolls, until impinging on other PEA transcrystalline layers or spherulites. The crystallization kinetics results indicate that the growth rate of PEA crystals in the intraspherulitic region of γ-phase PVDF shows a positive correlation with content of PEA, but a negative one with the crystallization temperature of γ-phase PVDF.     

TDPAC and first-principles study of electronic and structural properties of a Pd-vacancy complex in undoped germanium

Pd is one of the metals suitable for inducing low-temperature crystallization in Ge. However, it is not clear how residual Pd atoms are integrated into the Ge lattice. Therefore, time-differential γ–γ perturbed angular correlations (TDPAC) technique using the ¹⁰⁰Pd(→¹⁰⁰Rh) nuclear probe produced by recoil implantation has been applied to study the hyperfine interactions of this probe in single-crystalline undoped Ge. A Pd-vacancy complex aligned along the <111> crystallographic direction with a unique interaction frequency of 8.4(5) Mrad/s has been identified. This complex was measured to have a maximum relative fraction of about 76(4)% following annealing at 350 ^°C. Further annealing at higher temperatures reduced this fraction, possibly via dissociation of the complex. Calculations suggest dissociation energy of 1.94(5) eV for the complex. DFT calculations performed in this work are in reasonable good agreement with the experimental values for the electric-field gradient of the defect complex in Ge and Si for comparison. The calculations predict a split-vacancy configuration with the Pd on a bond-centred interstitial site having a nearest-neighbour semi-vacancy on both sides (V-Pd_BI-V) in Ge and Si.