纳米Zr-V-O粉末的XRD及TG-DSC研究

利用机械合金化制备纳米Zr-V粉末，对制备过程的材料进行物相分析和热分析试验。初始粉末Zr（150μm）和V（150μm）元素粉末（纯度99．15％）按原子比1：2或1：1进行混合后在氩气气氛中放入SimoloyerCMol—2球磨仓中，按几种不同的试验条件进行球磨。同时在997K和1047K下热处理40min和1h，并对热处理前后的粉末进行了物相和TG-DSC实验分析。     

二次锂电池正极材料LixNi0.3Co0.7O2的XPS与XRD研究

结果表明，ＬｉｘＮｉ０．３Ｃｏ０．７Ｏ２具有六方晶系Ｒ３＾－ｍ空间群结构。当Ｘ－１，０．３１５时，其晶胞参数分别为ａ＝２．８２６ｎｍ，ｃ＝１４．１３０ｎｍ和ａ＝０．２８０８ｎｍ，ｃ＝１．４２５３ｎｍ；ＭＯ６（Ｍ＝Ｎｉ，Ｃｏ）八面体中Ｍ－Ｏ平均距离分别为０。１９４１ｎｍ和０．１９３３ｎｍ。ＸＰＳ分析结果表明ＬＩｘＮｉ０．３ＣＯ０．７Ｏ２表面存在Ｌｉ２Ｏ，同时探讨了其中过渡金属离子的３ｄ电子结构变化。     

硅磷酸铝分子筛SAPO—34稳定性的研究

利用差热分析（ＤＴＡ）、原位ＸＲＤ技术研究了ＳＡＰＯ－３４分子筛原粉样品的晶体结构在模板剂烧除过程以及环境气氛中的变化情况。采用１０７３Ｋ下的高温焙烧和水蒸汽处理以及甲醇转化试验跟踪考察了该分子筛在结构和催化性能上的稳定性。     

图类^－αKα,αUβCP（b）中的一类特殊整谱图

图G是一个简单，图G的补图记为^－G，如果G的谱完全由整数组成，就称G是整谱图，鸡尾酒会图CP（n）=K2n-nK2（K2n是完全图）和完全二部图Kα,α都是整谱图^[1]。^—μ1表示图类^－αKα,αUβCP（b）的一个主特征值，本文确图了当^-μ1=2b＋1时，图类中^－αKα,αUβCP（b）的所有的整谱图。     

尖晶石型LiMn2O4的制备及结构研究

将LiNO3和以沉淀法制备的Mn3O4按一定比例混合制成样品，在空气气氛中分别以不同温度（300℃，400℃，500℃和700℃）进行烧结合成。利用差热－热重分析、X射线衍射、电子能谱及Raman光谱等测试手段对材料的结构及其随烧结温度变化情况进行了研究。首次观察到尖晶石型LiMn2O4的Raman特征峰。研究表明，低温烧结得到的样品为富氧的尖晶石型LiMn2O4；随着烧结温度的升高，结构中多余的氧逐渐放出，晶胞参数增大，晶体的结合能和晶格振动能增强。     

Pt对Mo基催化剂还原-硫化过程的影响

采用脉冲硫化、连续硫化、程序升温还原、程序升温及程序降温电导及X射线衍射等方法研究了贵金属Pt对MoO3催化剂还原-流化过程的影响及Pt对MOS2配位不饱和活性中心形成的影响．结果表明，Pt担载或在MoO3上可以促进MoO3的还原-硫化，使MoO3的还原-硫化温度大大降低Pt担载在MoSw上可促进MoS2的部分还原形成配位不饱和的钼中心     

CuO在CeO_2载体上的存在状态研究——氧化物-氧化物相互作用的“嵌入模型”

用X-射线衍射(XRD)和X-射线光电子能谱(XPS)研究了CuO/CeO_2体系中CuO在CeO_2表面的分散状态。结果表明,CuO在CeO_2表面的分散容量约为1.20mmol/100m~2,当CuO含量低于该分散容量时Cu~(2+)在CeO_2载体表面以嵌入形式呈离子态分布;而含量高于分散容量时则有结晶态的CuO出现。首次试用静态二次离子质谱(SSIMS)研究了CuO/CeO_2样品表面第1层中Cu~(2+)/Ce~(4+)离子的比值,结果显示CuO含量为1.22和0.61mmol CuO/100m~2 CeO_2的样品中该比值分别为0.93和0.46;程序升温还原(TPR)结果表明,表面嵌入态的Cu~(2+)比晶相CuO中的Cu~(2+)更易还原而且还原分两步进行,在约153℃和165℃出现两个还原峰。用表面相互作用的嵌入模型讨论并解释了所得实验结果。     

五硼酸钾部分高温特性的研究

研究了高温下水蒸汽及氯化钠或氯化钾对五硼酸钾的影响。借助自行设计的反应器与XRD、Raman光谱分析高温水蒸汽气氛下五硼酸钾的结构变化，证明了无论在其熔融态还是固态都会与水蒸汽发生反应，使产物中的K₂O含量升高，B₂O₃与水结合从五硼酸钾中脱离。利用DTA、XRD分析绘制了KB₅O₈-MCl（M＝K、Na）体系熔度图，属简单低共熔型，低共熔点分别为x_KCl=50%、 742 ℃，x_NaCl=20%、 689 ℃。     

共沉淀CuO-ZrO2复合氧化物分散态结构研究

用XRD、EXAFS、XPS表征了共沉淀法制备的CuO-ZrO2复合氧化物的分散态结构. 500 ℃焙烧的样品在一定组成范围内形成大体均匀的无定形态固溶体. CuO含量超过其在ZrO2中溶解度时，多余的CuO以CuO晶体形式存在；当ZrO2含量超过其在CuO中溶解度时，多余的ZrO2以四方相ZrO2晶体形式存在.焙烧温度达到800 ℃时，样品由单斜相ZrO2和CuO晶体组成.