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1.
为解决多纤芯弹性光网络虚拟化中的虚拟结点映射、链路映射和频谱分配问题,首先建立了一个以最小化占用的频谱数及最小化最大占用频隙号为目标的全局约束优化模型.其次,设计了具有高效的交叉、变异及不可行解可行化算子的全局优化遗传算法,以有效求解该模型得到最优的虚拟节点、链路映射方案.最后,为验证算法的有效性进行了不同的仿真实验.结果表明,所设计的算法能够有效地减小网络中占用的频谱数和最大占用频隙号. 相似文献
2.
陈洪捷 《重庆文理学院学报(自然科学版)》2021,(3):120-127
在现有的学术体制中,跨学科研究机构的发展往往面临种种限制。作为一个跨学科研究的虚体机构,北京大学德国研究中心的诞生与发展面临种种体制性因素制约。从最初的艰难创业,到一步步获得肯定与嘉奖,每一项成绩的取得都得益于创建者的不懈努力和主管校领导、各相关部门与社会各界的支持。北京大学德国研究中心创建和发展的历程也是我国高等教育发展中跨学科研究机构发展的现实写照。 相似文献
3.
郑晓曦 《五邑大学学报(自然科学版)》2004,18(4):27-32
文中就虚拟样机四连杆机构的运动分析提出一种新的运动仿真算法,在基于场景图的虚拟样机产品模型中实现产品四连杆机构的运动仿真.其算法特点是:利用空间矢量运算原理和四连杆机构特性直接求出四连杆机构从动件的变换矩阵,再通过四连杆机构特征点构造的三角形面积变化求出从动件变换矩阵的偏离角,用偏离角补偿法校正从动件变换矩阵,实现四连杆机构的运动仿真.其算法简单,运算效率高,实现容易. 相似文献
4.
The tracing evaluation index system was designed to be used in virtual enterprise and established neural network trace evaluation model. As a result, it was more simple and nicer than the traditional method, so it had wider application foreground. 相似文献
5.
6.
Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates. 相似文献
7.
以串联型稳压电源为例,介绍利用数/模混合电路仿真软件系统ICAP/4进行虚拟实验及故障诊断的方法,并给出仿真波形。 相似文献
8.
虚拟RLC电参量测试仪 总被引:1,自引:1,他引:0
虚拟仪器在测试测量领域、自动控制和工业控制领域有着广泛的应用.为提高本科生普通物理实验训练的起点,北京大学基础物理实验中心将虚拟仪器引入到物理实验教学中.本文以虚拟RLC电参量的测量为例,介绍了虚拟仪器在物理实验中的具体应用. 相似文献
9.
基于LabVIEW的高温超导材料特性测试实验 总被引:4,自引:1,他引:3
高温超导体临界特性的测量是近代物理实验中最为经典的实验之一,本文通过使用GM制冷机,利用Lab-VIEW虚拟仪器软件和高性能采集卡,改进了传统的测量高温超导材料临界特性的实验装置.本测试系统不仅可以测量高温超导体在不同温度下的临界电流,还可以测量其失超传播特性.该实验对于学生了解超导体特性和培养严谨的科学作风十分有益. 相似文献
10.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献