基于0．25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

文章对Mos管的变容特性结合现有的文献作了简要分析，以0．25μm工艺的INMos的变容特性作了深入分析，并利用Hspice进行了仿真，对MOS管的变容特性作了深入讨论。并针对VCO电路对Mos的变容区间提出一些合理的建议。     

一种LDO线性稳压器的设计与仿真

LDO线性稳压器是移动便携式电子设备中应用极为广泛的一类电源管理芯片．设计了一款两路LDO输出的线性稳压器,输出电压分别为2．8V和3．0V．采用CadenceHspice软件对设计的电路进行仿真,结果表明所设计的LDO具有低功耗,超低压差,输出精度高,电源抑制比高等优点．     

一种改进的共源共栅电流源的设计

以基本的镜像电流源电路结构为基础,通过改进提出了一种改进的共源电流源,并应用到1.8GHz的VCO中,对VCO的振荡频率与电流源的关系作了研究,并以TSMC0.25μm工艺库在Hspice中进行了仿真,确定了MOS管的尺寸和电流源的静态指标,仿真结果表明基本达到VCO的要求。     

多晶硅有源OLED像素电路的研究

由于两管像素驱动电路中备驱动管的阈值电压不一致会导致整个显示屏的亮度不均匀,这给实现精确的灰度调节带来了一定的困难。因此本文采用了四管像素单元电路作为显示屏驱动电路,并针对其缺点进行了适当改进,最后通过Hspice仿真验证可行性。     

一种阻变存储单元Hspice模型设计

提出一种满足新型双通道阻变存储器读写操作要求的Hspice模型.这种模型基于新的机理,即通过改变一块1 Mb阻变存储阵列的一个单元中2种可重配置的稳定电阻存储模式实现＂RESET态＂和＂SET态＂之间的转换,它可以通过一个模拟电流-电压特性的分立器件模型来验证.与传统阻变存储器模型相比,利用这种模型,可以用较少的器件准...