长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的能量重建

提出了用于TEXONO实验中双端读出的长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的两种粒子能量重建方法———“算术平均值能量重建法”和“几何平均值能量重建法”,讨论了两种算法的理论依据和计算方法,并对两种算法进行了比较     

Conductivity studies on some alkali metal iodides in aqueous N,N-dimethylformamide solutions at 298.15K

Summary Conductance measurements for NaI, KI, RbI, and CsI in water/N,N-dimethylformamide mixtures over the whole composition range at 298.15K are reported. The data were analyzed employing theFuoss-Justice equation in terms of limiting molar conductances (_o),Walden products (_o), and association constants (K _A). The results indicate that the salts are weakly associated in the above solvent mixture. Variation in theWalden products with solvent composition are briefly discussed. The results were also compared with values reported previously for some alkali metal chlorides and bromides.

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Untersuchungen zur elektrischen Leitfähigkeit einiger Alkalimetalliodide in wäßrigen N,N-Dimethylformamidlösungen bei 298.15K

Zusammenfassung Die elektrische Leitfähigkeite von NaI, KI, RbI und CsI wurde in N,N-Dimethylformamid-Wasser-Mischungen verschiedener Zusammensetzung bei 298.15K gemessen. Die erhaltenen Daten wurden analysiert und bezüglich der Grenzäquivalenzleitfähigkeiten (_o), derWalden-Produkte (_o) und der Assoziationskonstanten (K _A) ausgewertet. Die Ergebnisse zeigen, daß diese Salze in den verwendeten Lösungsmittelgemischen nur schwach assoziiert sind. Die Änderungen derWalden-Produkte in Abhängigkeit der Lösungsmittelzusammensetzung werden kurz diskutiert. Abschließend werden die Resultate mit Ergebnissen früherer Messungen, in denen das Verhalten von Alkalimetallchloriden und Alkalimetallbromiden untersucht wurde, verglichen.

     

高能X光照相CCD成像系统的模糊效应

 指出了景深、可见光衍射、辐射输运是CCD图像接收系统模糊效应的3个影响因素。用MCNP方法研究了转换屏内的辐射输运,给出了不同入射光子能谱和转换屏厚度下转换屏内能量沉积随半径的变化关系。结果表明:能量沉积随转换屏厚度的增加而线性增加;辐射输运引起的模糊与光子能谱有关,但硬化谱引起的模糊随转换屏厚度的变化小于非硬化谱;转换屏内的辐射输运是CCD图像接收系统模糊效应的主要影响因素;辐射输运引起的模糊和高斯模糊是不同的。     

CsI高压超导电性的第一性原理

利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了高压下CsI的电子能带结构、 电子态密度、 声子谱、 声子态密度以及电子和声子的相互作用, 探讨了CsI在高压下产生超导电性的物理机制. 研究表明, CsI层内的光学振动模式与电子之间的强耦合作用是CsI产生超导电性的主要原因.     

薄圆盘CsI(Tl)晶体闪烁特性蒙特卡罗模拟

利用蒙特卡罗方法,模拟99mTc 140 keV γ射线在圆盘状CsI(Tl)晶体中的闪烁过程及不同厚度不同包装下闪烁光的空间分布,得出点光源模型对于晶体出光平面上闪烁光强分布是适用的结果.模拟表明,CsI(Tl)与铝(Al)之间界面为粗糙时要比光滑时位置分辨更好;闪烁中心离出光面越近,位置分布越窄;晶体厚度为7 mm时光输出最大,光输出半高宽约为7.3 mm.     

TR4终端高性能探测器系统

描述了兰州中能重离子加速器TR4终端装备的高性能探测器系统的结构性能.各类探测器都达到了很好的性能指标.Si多叠层望远镜,Z/△Z～50,△E/E～0.3%.IC+PSD+SPD+CsI(T1)对数密度望远镜,Z/△Z～44.5,△x～1.7mm.棉球面反射镜结构开始时间探测器装置,△t～140Ps.重离子飞行时间谱仪,A/△A～86,Z/△Z～48,△E/E～0.78%,△t～286ps.9单元和36单元CsI(T1)轻粒子小角度关联探测器阵列,Si+CsI(T1)轻粒子望远镜也达到了很好的性能指标.简述了小角度关联等实验结果.     

Study of the THGEM detector with a reflective CsI photocathode

The THGEM detector without and with a CsI has been tested successfully. The optimal parameters of THGEM have been determined from eight samples. The UV photoelectric effect of the CsI photocathode is observed. The changing tendency related to the extraction efficiency (ε_extr) versus the extraction electric field is measured, and several electric fields influencing the anode current are adjusted to adapt to the THGEM detector with a reflective CsI photocathode.     

CsI(Tl)晶体中反冲Cs和I核Quenching?Factor的测量

许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.     

CsI(Tl)闪烁晶体研究进展

CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料.CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心.CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域.目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长.本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势.     

硅光电二极管作为CsI(Tl)晶体读出元件的实验研究

报道了硅光电二极管作为CsI(Tl)晶体读出元件的实验研究.测量了日本Hamamatsu生产的两种硅光电二极管的读出性能,包括能量分辨率与偏压、成形时间、灵敏面积和晶体尺寸的关系.