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1.
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。 相似文献
2.
3.
4.
惯性约束中子测温的误差研究 总被引:1,自引:0,他引:1
综合分析了ICF(惯性约束)中子测温系统的误差与其参数的关系,这些参数包括靶核温度,探测的中子数、靶到探测器的距离、探测器的响应函数以及闪烁体厚度等,考虑到中子与探测器的相互作用,探测器的响应与靶的烧蚀过程,在此基础上提出了新的统计误差计算方法,该方法对于改善中子测温的相对误差并应用于闪烁体的设计具有重要意义。 相似文献
5.
6.
在向没有任何缓发中子先驱核存在的次临界系统中注入一束脉冲中子后,系统中的瞬发中子强度随空间和能量分布的形状在经过很短一段时间的调整后,将A=Aoexp(λ,t)衰减,A为瞬发中子强度,s^-1;A0为初始瞬发中子强度,s^-1;t为瞬发中子衰减时间,s;λ为瞬发中子衰减常数,s^-1。 相似文献
7.
8.
随着等离子体电视的诞生,曾独领风骚的阴极射线管彩电似乎已达至极限,制造更大尺寸的阴极射线管无论材料、结构、工艺上都相当困难;电子束扫描形成的图像清晰度、色彩、几何变形也很难进一步提高;画面闪烁、辐射更难以克服。液晶显示器虽有轻、薄、无辐射、无闪烁等优点,但是对比度一般只有300∶1,像素质量不高和反应速度慢更是致命弱点。 相似文献
9.
在当前激光核聚变实验中,中子集中在短时间内出现、且产额低。为适应这种特点,要求探测器的效率高,分辨时间短。利用闪烁中子探测器探测激光核聚变所产生的中子,能测定中子产额,记录中子能量,而且探测效率高,分辨时间短。缺点是易受γ射线、X射线的干扰。 相似文献
10.
闪烁室是一种常用于测量氡的探测器.介绍了闪烁室的探测原理以及闪烁室本底的各种来源、特点和相应的降低方法。 相似文献