韩波博士简介

<正>韩波,男,1983年8月生,安徽颍上人。2007年毕业于华东师范大学电子系,获工学学士学位。2012年毕业于华东师范大学电子系(硕博连读),获工学博士学位,2012年至今在阜阳师范学院计算机与信息工程学院从事教学科研工作,2014年东南大学毫米波国家重点实验室客座研究。韩波博士主要从事微波毫米波片上元件建模与设计研究。内容主要涉及:异质结三极管     

耐火浇注料的发展现状及应用

文章以高铝质、莫来石质和刚玉质耐火浇注料为例,系统介绍了耐火浇注料的组成和性能,阐述了典型的耐火浇注料结合剂及外加剂,并总结了耐火浇注料的发展现状及应用领域。     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

用计算机测量PN结的反向物理特性

本对PN结反向物理特性，应用电子技术和计算机技术实现了对实验过程的控制和效据处理。     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

浅谈中学历史课堂结课艺术

在中学历史课堂中,结束语和导入语同样重要。教师可以根据新的教学理念,结合学生的实际情况,充分发挥自己的主观能动性,精心设计课堂结束语,使历史结课更具有艺术性,使历史课收到更好的教学效果。     

大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性

采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2, 并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1 min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48 eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.     

β—环糊清用于槐角中芦丁的示波测定

在NaOH底液中,β-环糊精能在示波图上产生灵敏切口,且该切口深度随β-环糊精-芦丁包结物的形成而减小.利用β-环糊精及其与芦丁形成包结物的示波特性建立了二次微分简易示波伏安法测定中药槐角中的芦丁含量的新方法.测定芦丁的线性范围为5.0×10-7～6.5×10-6mol/L,回归方程为h(V)＝6.61-0.95×105c,相关系数r＝-0.998,检出限为3.0×10-7mol/L.对于3.500×10-8mol/L芦丁5次测定结果的RSD为2.8%,回收率为99.7%.与其他方法相比,本方法具有装置简单便宜、方法直观易行、样品不需要特殊处理等特点.此外,利用随客体分子的加入β-环糊精示波图的变化,可快速、直观的判断出主、客体间是否发生了包结反应,从而拓展了用电化学方法研究超分子包结物的范围.     

Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

一维介观结链中电荷孤子的控制

研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制. 关键词： 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿