首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4655篇
  免费   1249篇
  国内免费   717篇
化学   921篇
晶体学   75篇
力学   124篇
综合类   40篇
数学   23篇
物理学   2375篇
综合类   3063篇
  2024年   33篇
  2023年   105篇
  2022年   151篇
  2021年   154篇
  2020年   97篇
  2019年   115篇
  2018年   99篇
  2017年   108篇
  2016年   147篇
  2015年   183篇
  2014年   308篇
  2013年   278篇
  2012年   319篇
  2011年   366篇
  2010年   340篇
  2009年   316篇
  2008年   383篇
  2007年   370篇
  2006年   302篇
  2005年   307篇
  2004年   238篇
  2003年   230篇
  2002年   203篇
  2001年   194篇
  2000年   187篇
  1999年   142篇
  1998年   129篇
  1997年   126篇
  1996年   104篇
  1995年   87篇
  1994年   91篇
  1993年   83篇
  1992年   69篇
  1991年   69篇
  1990年   61篇
  1989年   49篇
  1988年   27篇
  1987年   22篇
  1986年   15篇
  1985年   8篇
  1984年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   2篇
排序方式: 共有6621条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。  相似文献   
4.
对铝电解中的阴极反应、阴极过电压、阴极表面的双电层结构等阴极过程进行了研究,发现在+005~-005V(相对于铝阴极)电位区有一个还原电流峰和一个氧化电流峰,它们是Al3++3e→Al和Al-3e→Al3+·与阳极相比,阴极过电压较小,在001~3A/cm2的Taffel区,约为01V·在阴极表面的双电层中,第一层为Ca2+,Mg2+,Li+和Al3+离子,没有Na+离子,这说明,阴极过电压是因为Mg2+,Ca2+等离子形成的电化学双电层阻力所引起,同时也说明别略耶夫猜想基本是正确的·  相似文献   
5.
王飞鹏  夏钟福  邱勋林  沈军 《物理学报》2006,55(7):3705-3710
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中. 关键词: 反极性电晕补偿充电法 铁电驻极体 充电电流 热刺激放电  相似文献   
6.
脉冲放电等离子体烟气治理技术具有流程简单,一次投资成本低,无二次污染,可同时脱硫脱硝,形成的副产物可回收利用等特点。  相似文献   
7.
非晶金刚石膜的性能及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
非品金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能,为工程界孜孜追求的材料表面镀膜。用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜,SP^3金刚石结构量≥80%,硬度高,膜/基结合力高,摩擦系数小,耐磨损,耐腐蚀,透光率高,在电子,机械,光学,生物医学上有广泛应用前景。我们已在视窗玻璃,丝锥,模具,硬质合金刀头等产品上成功应用。  相似文献   
8.
建立了一套用于产生瞬变物种的脉冲高压放电分子束装置,以N2气为例,对高压脉冲放电过程和整个荧光采集系统的工作效率进行了研究,从N2气的振动光谱中得到其激发态的振动温度为2257K。  相似文献   
9.
现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害,因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量,而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子,使得第一壁材料可运行的时间大大缩减;同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以,必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭,并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。  相似文献   
10.
 研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号