全文获取类型
收费全文 | 4415篇 |
免费 | 999篇 |
国内免费 | 1593篇 |
专业分类
化学 | 2347篇 |
晶体学 | 154篇 |
力学 | 88篇 |
综合类 | 66篇 |
数学 | 18篇 |
物理学 | 1918篇 |
综合类 | 2416篇 |
出版年
2024年 | 22篇 |
2023年 | 83篇 |
2022年 | 93篇 |
2021年 | 134篇 |
2020年 | 90篇 |
2019年 | 100篇 |
2018年 | 71篇 |
2017年 | 108篇 |
2016年 | 127篇 |
2015年 | 183篇 |
2014年 | 273篇 |
2013年 | 267篇 |
2012年 | 230篇 |
2011年 | 256篇 |
2010年 | 240篇 |
2009年 | 286篇 |
2008年 | 317篇 |
2007年 | 287篇 |
2006年 | 247篇 |
2005年 | 289篇 |
2004年 | 262篇 |
2003年 | 291篇 |
2002年 | 261篇 |
2001年 | 257篇 |
2000年 | 226篇 |
1999年 | 210篇 |
1998年 | 220篇 |
1997年 | 231篇 |
1996年 | 186篇 |
1995年 | 217篇 |
1994年 | 180篇 |
1993年 | 144篇 |
1992年 | 157篇 |
1991年 | 131篇 |
1990年 | 122篇 |
1989年 | 102篇 |
1988年 | 42篇 |
1987年 | 27篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有7007条查询结果,搜索用时 437 毫秒
1.
煤直接液化油中混合酚的分离研究 《燃料化学学报》2019,47(11):1298-1304
利用分子筛择形特点,对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物,采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变,分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响,以获得高性能固相吸附剂,并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明,当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时,分子筛的孔口结构调节效果最优;当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时,固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g,对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化,导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5(1)吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现,苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。 相似文献
2.
裴为华 《科技导报(北京)》2018,36(6):77-82
神经科学和神经工程研究需要研究大脑神经元的电活动情况,以了解大脑产生、传输和处理信息的机制。植入式神经微电极作为一种传感器件,是时间分辨率最高的神经电活动传感手段之一。介绍了国内外几种主要的植入式硅基神经微电极的结构特点、制备方法和性能特点。分析表明,未来通过不断结构优化和改性修饰,特别是在高通量的神经记录方面,通过与同样基于硅材料的电路的集成,硅神经微电极能够进一步提高生物相容性,解决大规模的电极通道体内外传输与连接问题,实现对神经元的在体大规模长时间记录。 相似文献
3.
本研究用膏剂法进行无孔渗硅研究,透射电镜、电子探针和M351腐蚀仪分析证实:获得了致密、无孔隙、具有良好耐磨性和耐腐蚀性的渗硅层,并分析了渗硅层形成机理及表层疏松层以及内部孔隙成因。 相似文献
4.
5.
C60偶联多孔硅系统的蓝光发射 总被引:1,自引:1,他引:0
用G60作为表面钝化剂,与多孔硅进行偶联.发现当C60偶联多孔硅系统在空气中存储一年后,能够发射460nm左右的强烈蓝光.经过系统的测量和分析,认为蓝光起源的发光中心与SiO2体材料中的“自捕获激子”模型类似.它是由一个氧空位和一个间隙氧组成的,间隙氧同时和相邻的晶格氧形成过氧连接.光激发载流子来自于Si纳米晶粒的核心,辐射复合过程则在多孔硅表面的发光中心进行.进一步的电子束辐照和臭氧辐照实验证明了这个发光中心的存在.从FTIR谱的分析,推测是样品表面Si=O双键的缓慢变化促使了蓝光中心的自发产生. 相似文献
6.
7.
8.
Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献
9.
A G 4.0 dendrimer-like poly (amido amine) (PAMAM) based on silica nanoparticles was fabricated via a divergent approach.It was built from γ-aminopropyi silica nanoparfides (APSN) core via repetitive addition of acrylate (MA) and hexylenediamine (HDA). FT-IR and EA were used to monitor the progress of dendrimer during each step. The amino group content of the resulting product increased from 0.49 to 3.72 mmol/g after the 4th generation. In addition, the percentage of grafting increased with increasing generation and reached to 65.9% after 4th generation. It was found that the resulting silica nanoparticles could be dispersed in methanol with a mean hydrodynamic particle diameter of 152.7 nm although the silica nanoparticles had agglomerated during the storage period. 相似文献
10.
Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature 下载免费PDF全文
Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献