HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响

在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。     

断裂带中岩石硅化的微束研究

断裂带中岩石的硅化现象,通常称之为硅化岩或硅化破碎带,即经动力变质作用的断层岩,通过微束技术对其观察,它们显示出下列特征:在扫描电镜(SEM)下,硅化物质表现为细脉状,而在偏光里微镜下则表现为浸染状;对硅化岩进行组构观察,可见压扁 S 面和剪切 S 面;在透射电镜(TEM)下,可进一步区别不同的位错现象;断裂带岩石的硅化现象是受组成岩石的化学元素的构造地球化学作用所制约的,包括动力分异和化学亲和作用,动热变质作用和退化变质作用,氧化和还原作用以及脱水和水解作用。     

球料比对机械合金化合成MoSi_2过程的影响

以5∶1、10∶1、20∶1、30∶1四种不同球科比采用机械合金化方法合成了MoSi_2粉末，通过X射线衍射仪和SEM研究并讨论了球料比对MoSi_2机械合金化过程的影响，指出装球量略小于球罐容积的2/3为宜。     

山东新泰盘车沟剖面寒武系硅质层成因

利用野外地质资料和室内分析资料，从成因类型和形成机理方面对盘车沟寒武系剖面中硅质层进行了研究。结果表明，镘头组下部的硅质层是同生期生物化学作用成因的，形成于潮下低能浅水环境；中、下寒武统与泥质共生的硅质层是成岩期呈分散状的硅质沉积物溶解、聚集、交代成因的。在硅质形成过程中，粘土矿物对ＳｉＯ２胶体质点起着吸附和提供部分氧化硅的作用。张夏组顶部硅质层是经过白云岩化作用之后交代成因的。     

Co_2Si@C催化剂的合成及其加氢脱硫性能

采用微波法制备了Co_2Si@C催化剂并对其在加氢脱硫反应中的催化性能进行了研究.通过XRD、 XPS、 TEM和N_2-物理吸附表征分析Co_2Si@C催化剂的组成和结构. Co_2Si@C催化剂具有一致的介孔结构,高钴含量(21%)、高比表面积(116.6 m~2·g~(-1))和均匀分布的纳米粒子.由于硅原子对钴原子结构和参数的修饰、纳米粒子效应和高金属含量等因素, Co_2Si@C催化剂在温和的反应条件下(340℃和3.0 MPa)具有良好的加氢脱硫活性和对直接脱硫(DDS)反应途径的高选择性,产物联苯的选择性超过了60%.     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

一种新型光电材料—β—FeSi2的结构,光电特性及其制备

β－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料，详细介绍了β－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作了简要的讨论。     

Siliconization for Wall Conditioning and Its Effect on Plasma Performance in HL-2A Tokamak

1 Experiments HL-2A tokamak is characterized by a large closed divertor chamber. Before the experimental campaign 2005 the surface of the shielding plates for the MP1 and MP2 has been covered with 2-D carbon fibre composite （about 30% of the first wall）, which can protect the first wall, and effectively shield the splash of heavy metal impurity. The vacuum vessel can be baked up to 120 ℃for degassing and a glow discharge device is installed in the vessel for cleaning the inner surface. Hydrogen glow discharge cleaning （GDC） is applied to remove impurities from the wall, and helium glow discharge cleaning for removing residual hydrogen.     

HL—1M装置硼化,硅化和锂涂覆壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化和Ｌｉ涂覆壁的出气特性的对比实验研究。