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1.
2.
在过去的一年里,纳米科学无论在基础研究还是在应用研究方面都取得了突破性进展。美国利用超高密度晶格和电路制作的新方法,获得直径8nm、线宽16nm、纵横比高达106、电路的纳米线结密度高达1011/cm^2的铂纳米线;法国利用粉末冶金制成具有完美弹塑性的纯纳米晶体铜;中国用微波等离 相似文献
3.
一说到羊,人们常常用性情驯良、温和来形容它。羊是人类驯化的7大家畜之一,羊和人们的生活有着密切的关系。今年是农历癸未年,也就是人们俗称的羊年,就中国野生羊的有关问题,记者采访了中国科学院动物研究所的研究员、中国动物学会秘书长冯祚建先生。冯祚建先生介绍说,羊分山羊、绵羊、羚羊等多种,羊在自然界中是生物链中很关键的一环。因为羊的繁殖能力较强,是植食性动物,同时它又是大型肉食动物的捕食对象。它在维护生态平衡方面起到了重要的作用。在自然界中,羊的天敌是豺、豹、虎等大型肉食性动物。现在,人为的乱捕滥猎是造成野生羊减少的主要原因。世界上有野生羊31种(加上山羊),在我国境内生活的野生羊有八九种。从80年代起,我国的野生羊都受到了国家的重点保护。冯祚建研究员对我国野生羊的种类、特点、栖息地等做了详细介绍。 相似文献
4.
5.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献
6.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
7.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献
8.
詹苍松 《焦作师范高等专科学校学报》2005,21(4):58-59
本文在起始不变原则、倍本原则和迭加原则假定下.得出资金率生长函数;指出其神同形异的两种表现形式;列出常用的单位时间利率——年利率、月利率、日利率三者之间的互换关系。 相似文献
9.
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-
关键词:
失配位错
外延生长
薄膜
分子动力学
铝 相似文献
10.
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 相似文献