Exciton—Phonon Scattering in CdSe／ZnSe Quantum Dots

A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

圆二色谱中的激子手性法在有机化学中的应用

激子手性法是圆二色谱领域内,近一、二十年内发展的一种测定有机化合物绝对构型的可靠方法。本文对其基本原理及规律作一简要介绍。并以邻二醇、共轭烯酮,共轭二烯及丙烯醇为例,介绍本法在测定绝对构型中的应用。此外,本法也可用于糖类的结构研究。     

夫伦克耳激子的运动

本文从晶格模型出发,同时考虑周期场和电子-声子相互作用对激子能态的影响。夫伦克耳激子在晶格中运动有两种不同方式:在低温区,是能带传递;在高温区,是跳跃过程。     

液相合成方形PbS纳米晶的光学特性

采用一种简单、温和的液相合成方法制备了PbS纳米晶，利用透射电镜和高分辨透射电镜对PbS纳米晶的形貌与晶型结构进行了表征．研究了PbS纳米晶的光学吸收和光致发光特性，并比较分析了包覆剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和回流时间对产物光学特性的影响．结果表明：PVP分子链中的O原子与纳米晶表面吸附的游离态Pb原子形成Pb-O配位键，使产物的激子吸收大为减弱，同时引起了表面浅束缚态能量的升高，最终导致了荧光淬灭现象．     

InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能

利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律．结果表明，随着量子点高度L和半径R的增加，结合能降低，随着量子点中In含量的增加，激子的结合能增大．对给定体积的量子点，激子结合能存在一最大值，此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内．对不同体积的量子点，最大值的位置在量子点高度L=1．7nm附近取得.     

GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态

在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.     

基于ZnO半导体纳米线膜的声表面波型紫外探测器

针对传统半导体光电探测器件结构的宽带隙半导体紫外探测器可测信号弱的问题,提出了一种基于ZnO纳米线膜的声表面波型紫外探测器。该探测器利用ZnO纳米线膜的强紫外光电响应特性和声表面波器件的灵敏的声电相互作用机制,将采用高纯锌粉的热蒸发氧化工艺制备的纤锌矿型ZnO纳米线制作在已有声表面波小波传感器上。利用光致发光谱研究发现,由于低维激子限域效应和表面效应,所制作ZnO纳米线敏感膜中的紫外光电效应优于外延ZnO半导体薄膜;同时,基于ZnO纳米线膜的声表面波式紫外探测器在紫外光辐照下该探测器的中心频率减小,损耗增大。实验研究表明该器件能够实现长波紫外光的高灵敏度探测。     

覆盖面、水和缺陷对邻苯二酚/二氧化钛界面性质的影响（英文）

邻苯二酚/二氧化钛界面是一种研究染料敏化太阳能电池相关性能的简单模型,然而,水和缺陷的存在对邻苯二酚/二氧化钛界面电子能级和激子性质的影响却很少被探究.本文通过第一性的多体格林函数理论研究四种邻苯二酚/二氧化钛界面,确定覆盖面、水和缺陷对电子能级和激子性质的影响.邻苯二酚在金红石(110)表面的吸附使二氧化钛的最高价带和最低导带的能量增加了约0.7 eV,覆盖面的增加和水的存在降低了强度最大的电荷转移态激子的光学吸收.当吸附基底为还原的羟基化二氧化钛时,最低导带大大降低,导致亚带隙变为2.51 eV.四种界面结构的激子分布离域至几个原胞,特别是吸附基底为羟基化二氧化钛的界面结构.采用羟基化的二氧化钛基底时虽然会降低开路电压,但同时也增加了光生电子与空穴的分离,因此可通过控制缺陷浓度来提高光伏效率.