氧化还原介体催化强化污染物厌氧降解研究进展

 由于厌氧生物处理技术具有产生剩余污泥少、可回收能源等优点而被广泛用于处理各种有机污染物，尤其在有毒、有害、难降解污染物的去除方面取得了良好的效果。然而，厌氧生物法的处理速率通常比较低，而氧化还原介体可通过自身不断的氧化和还原来传递电子，提高电子在氧化还原反应过程中的传递速率，从而促进污染物高效厌氧降解。醌类物质和腐殖酸是应用较多的氧化还原介体，在催化难降解污染物降解方面取得了一定效果。讨论了氧化还原介体的特点、作用机制，并总结了其对偶氮染料厌氧脱色、反硝化和多氯联苯厌氧降解的强化作用，提出了氧化还原介体未来的研究方向。     

腐殖酸分子结构对电-Fenton性能的影响探究

采用超滤分级得到不同分子量的腐殖酸组分,并通过傅里叶红外、紫外可见、三维荧光光谱等表征其分子结构的差异.用基于Pd/Fe3O4纳米催化剂的新型电芬顿技术去除不同分子量的腐殖酸与Cr(VI)形成的复合污染物.研究表明,随着腐殖酸分子量的增大,其矿化效果越好,HA5(87.6%) HA4(79.0%) HA3(76.8%) HA2(70.0%) HA1(62.9%),且短时间内高分子量腐殖酸有较好的去除.这归因于高分子量腐殖酸表面的阴离子与Pd/Fe3O4发生静电吸附.此外,苯环取代度更高、共轭结构更多的高分子腐殖酸优先被原位生成的·OH氧化为多羟基化中间体,进而氧化开环,最终矿化为CO2和H2O.而在TOC相同条件下,低分子量腐殖酸中短链羧酸占比较高,其与·OH的反应活性低,矿化速率慢.总铬的去除同样遵循HA5(91.8%) HA4(88.2%) HA3(85.9%) HA2(85.4%)HA1(85.1%)的顺序,因为高分子量腐殖酸中含有更多能与Cr发生络合作用的活性位点,可在电解体系中协同去除Cr.本研究表明了腐殖酸分子结构对金属纳米颗粒协同电化学氧化性能和与重金属相互作用的影响,为揭示腐殖酸与Cr(VI)复合污染物的环境行为及其有效去除提供重要参考.     

超临界水氧化处理有机物废料的新技术

和传统方法相比，超临界水氧化处理有机物废料有着极大的优势。介绍了处理废料的原理和工业应用的可能性。     

三级生物接触氧化在高层建筑污水处理改造工程中的应用

某高层建筑已完成污水处理装置土建部分的施工，为达标排放，提出改造方案。经方案比较，将原单级接触氧化法改为三级接触氧化法，将原鼓风曝气改为潜水曝气，增加污泥外循环回流及清水池和排水泵，以强化系统脱氮效果．保证出水顺利排放。同时，介绍了各处理单元的设计参数，分析了运行费用和投资，以供同类工程参考。     

烟气中Hg的氧化机理的研究

本文对Ｈｇ与Ｃｌ２在烟气中的氧化反应进行了热力平衡计算和动力学计算。平衡计算的结果表明有ＣＩ元索存在时Ｈｇ的氧化率为１００％，而在相同的条件下动力学计算纺果为Ｈｇ的氧化率在２０％～８０％之间变化，与实验结果吻合。实际的氧化反应是一种超平衡状态，不能达到理想的平衡状态。因此应采用动力学与热力平衡分析相结合的方法研究Ｈｇ在烟气中的反应机理。同时，计算结果显示Ｃｌ含量对Ｈｇ的氧化率的影响很大．     

纳米TiO_2用于甲基橙溶液的光催化氧化研究

本实验采用纳米级的二氧化钛,对甲基橙溶液进行了紫外光催化氧化处理,探讨了pH的影响和添加Fe3+的效果及反应动力学方程,结果表明,采用UV/O3/TiO2工艺对其进行处理,pH4-5时,10W紫外灯光照60min,CODcr去除率达84%,脱色率达96%以上。添加Fe3+,对溶液的催化降解速度提高不明显。动力学研究表明,CODcr降解速度对CODcr的浓度为一级反应。     

椭圆偏振法研究四方氧化锆对Zr-Sn-Nb合金氧化膜耐腐蚀性能的影响

将经过不同热处理的Zr-Sn-Nb合金样品放在350℃、16．8mol／LPa、0．01mol／LLiOH溶液的高压釜中进行腐蚀。用椭圆偏振法研究氧化膜中的四方氧化锆，发现经过580℃／冷轧／500℃处理的样品在腐蚀42天和190天后氧化膜中的四方氧化锆比其它样品的多。四方氧化锆是影响合金耐腐蚀性能的一个主要因素，四方氧化锆的形成有利于提高合金的耐腐蚀性能。     

CL-18的合成

CL-18是根据TATB和BTF两种化合物的分子结构特征所设计并已合成的，其分子兼具TATB和BTF的分子特征，一方面，氨基的推电子效应使C-NO2键能增强，又由于氨基与硝基的氧原子间形成强的分子内和分子间氢键，更增强了分子的稳定性，因而具有优良的热稳定性和较低的感度。另一方面，分子中引入氧化呋咱基团，可明显提高化合物的密度和爆轰性能。在钝感冲击片雷管和钝感传爆药中具有潜在的应用前景。     

用符合计数研究“钚的质量属性”与“氧化钚不存在属性”

符合计数的测量量为总中子计数和符合计数，而未知量有（α，n）中子与自发裂变中子之比α、泄漏增殖系数M1以及钚-240的质量。符合计数与源中子泄漏复度分布的二阶矩成正比。对MCNP程序进行修改，加入自发裂变源与（α，n）中子源的跟踪功能，直接得到了中子泄漏复度分布的二阶矩。