激光快速成型TC4合金显微组织及力学性能

采用金相显微镜、扫描电镜、电子拉伸机等，研究了激光快速成型TC4合金沉积态在平行沉积方向和垂直沉积方向的组织和力学性能.结果表明:激光快速成型TC4合金沉积态宏观组织沿沉积方向生长的粗大β柱状晶呈明暗相间的条带状结构，具备典型的魏氏组织特征;垂直沉积方向的强度比平行沉积方向的强度高，但塑性低;合金断口为韧窝状断口，垂直沉积方向的断口韧窝尺寸比平行沉积方向的小.     

基于螺旋相位滤波的图像边缘增强研究

阐述螺旋相位滤波实现图像边缘增强的原理及其国内外研究现状,分析几种螺旋相位实现边缘增强效果,同时对螺旋相位滤波器的应用发展趋势进行展望.     

铅锡合金沉积物的显微组织

将离子浓度比为5∶5的铅锡电沉积分形生长沉积物制备成金相样品，用金相显微镜观察了它们的显微组织。结果表明，在此情况下，铅锡电沉积生成物由两相组成，即铅锡共晶相和铅基固溶相，两相呈交替层状分布。     

Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

基因芯片荧光图象采集与分析

描述了基因芯片荧光图象的光学共聚焦成象,大范围高速扫描与控制,数据采集的原理和方法.并讨论了基因芯片荧光图象的分析算法,即模板定位与阈值分割相结合的半自动算法,并将其计算结果与完全采用人工分割算法的结果进行了比较.     

显微图像的蒙太奇技术

对先进的显微图像蒙太奇技术在原理上进行了阐述，在实验中获得了较好的结果。     

全内反射荧光显微术应用于单分子荧光的纵向成像

利用这种显微术中激发场的纵向强度呈指数衰减的分布特性，测得的荧光强 度将强烈依赖渗透深度（强度衰减到1/e时的距离），从而快速直接的确定单分子荧光 团间的纵向间隔、每个荧光团的纵向绝对位置和荧光团的半径大小，即实现荧光分子三维分 布的重构.在整个重构的过程中，只需要改变一次入射角的大小，即只需探测两幅荧光分子 的全内反射成像. 关键词： 全内反射荧光显微术 纵向重构     

断口显微图像信息的描述方法与系统实现

本文提出了断口显微图像信息的层次关系描述法，描述了运用这种信息关系建立的断口图像信息处理系统的基本原理及系统所采用的主要算法，包括断口显微图像视觉模式识别，分类，典型特征图像的预先处理等一系列算法。     

近场光学显微技术

本文在介绍近场光学显微镜原理的基础上，对近场光学显微技术进行了一定深度的探讨，并着重研究了纳米级探针的制作和纳米级样品与探针间距的控制这两个近场光学显微技术中的关键问题，说明了近场光学显微探针的工作方式，阐述了近场光学成像的衬度类型，介绍了近场光学显微技术在多个领域的应用。在参考大量国内外最新研究成果的基础上，提出了一些个人的见解。