盐酸伊达比星杂质A的合成工艺优化及其高效液相分析

通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究，为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料，经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法，为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A，制备总收率为57.20%，纯度为57.20%，其结构经¹H NMR， ¹³C NMR和MS(ESI)表征。     

HL-1M装置等离子体与ICRH发射天线的相互作用

ICRH实验的一个比较突出的问题就是杂质。杂质的产生与ICRH发射天线同等离子体的相互作用和RF脉冲的发射有着不可忽视的联系。对HL－1M装置的ICRH发射天线在两年多实验中的变化作了简要的介绍和讨论，并对今后ICRH发射天线的设计提出了一些建议。     

HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响

在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。     

用激光吹气注入高Z杂质使HL-1M装置放电有效地安全终止的研究

现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害，因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量，而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子，使得第一壁材料可运行的时间大大缩减；同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以，必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭，并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。     

Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal

LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti： LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively： The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^＋ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4＋-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.     

量子阱中类氢杂质束缚能的压力效应

本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应，尤其在阱较窄的情形下，其压力效应更为显著．     

液体可视图象序列中杂质小目标的检测方法

在分析红外图象和视图象差异的基础上，研究了一种适用于可视图像序列的运动小目标检测算法。受目标影响的象素点具有较弱的时间相关性，即相对普通象素点有较大的时间方差，根据此特征，用管道更新的方法产生新方差图象序列，再用管道更新的方法累积，增加信噪比，然后用基于统计均值的自适应门限方法分割出目标，最后将原图象的梯度倒数作为象素点强度的加权，有效地抑制灰度突变边界的传感器噪音，保存目标点。     

HL-2A托卡马克边界等离子体数值模拟及非日冕平衡条件下的杂质辐射问题研究

对边界层等离子体中常见的物理问题，从两点模型到二维流体描述。从原子分子物理过程到杂质的输运和辐射等进行了系统的归纳和总结，特别是对等离子体不同参数运行区如鞘层限制参数区、传导限制参数区以及脱靶参数区等的一维流体描述，在参阅相关文献的基础上使用一定的假设条件进行了简单推导。分别阐述了它们的特点。     

三量子位Heisenberg XX 链中杂质对纠缠的影响

研究了有杂质时三量子位Heisenberg-XX链中正常格点之间的热纠缠情况，给出了Concurrence的解析表达式.进一步的讨论发现，杂质对正常格点的热纠缠有着重要的影响，甚至能够改变纠缠在反铁磁区的特性.理论表明，可以通过调节温度和杂质参数来控制纠缠. 关键词： Heisenberg -XX链 热纠缠 杂质格点