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1.
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。 相似文献
2.
E形宽带微带天线的时域有限差分法分析 总被引:5,自引:0,他引:5
该文应用时域有限差分法(FDTD)分析了同轴馈电E形宽带微带天线的阻抗特性,此天线的阻抗带宽可大于30%.计算中采用了一种简单的同轴馈电模型,数值结果与已有文献结果比较一致,说明了此模型的有效性.同时,也研究了输人电阻随馈源位置变化的特性. 相似文献
3.
介绍二次有限元法分析波导本征值问题的基本原理和计算过程,编制相应的程序,实例计算了矩形波导的截止频率,并与理论值进行比较;计算了EMC/EM I工程测试中TEM Cell高次模式的截止频率,所获得的计算结果与相关文献中所报道的数据吻合较好,表明该方法的有效性。同时还分析计算了十字形截面的方形同轴电缆线的高阶模式的截止频率。 相似文献
4.
张晓萍 《兰州大学学报(自然科学版)》1993,29(4):106-111
本文应用边界元素法和矩最法研究无损测量中终端开路同轴线作为传感器时的边缘电容及场分布,把边界元素法用在了轴对称的电磁场问题及多介质区域。文中给出了两种方法求解该问题的主要步骤和公式,并对计算细节作了说明,尤其是对奇点的处理。对边缘电容C(ε)和介电常数ε之间所建立的线性模型进行了全面讨论,给出了齐全的数据和结果,并同有关文献的结果及实验值进行了比较,验证了方法的可靠性及精确性,为实验工作提供了理论 相似文献
5.
6.
7.
本文介绍一种新型的宽带大功率合成器/分配器.在这种功率合成器中用同轴线Balun阻抗变换器和假负载代替传统的Wilkinson功率合成器中隔离电阻;使得其工作带宽是传统的功率合成器的三倍左右.本文回顾了展宽Wilkinson功率合成器工作带宽的方法,然后分析这种新型的的功率合成器的特性,最后给出仿真结果并与传统功率合成器、双节级联功率合成器的仿真结果作比较. 相似文献
8.
9.
10.
本文论述了特别适用于测量生物活体组织介电特性的同轴线开端反射法。本方法不需要对被测物进行特殊加工,只要求一个紧密的接触面,就可极方便地进行宽频带内迅速而大量的测试,并可用于其它材料特性的测量。测试系统使用了计算机控制的网络分析仪,用 ANA 法校准以消除接头等引入的误差网络影响;用迭代法决定等效电路参数致使测试结果具有较高精度。具体的生物组织测试在0.5GHz~2GHz 内进行,将测试结果与已知结果进行比较证明方法之可靠,然后测量出死、活生物组织∈之差异,测出∈随频率、随牺牲时间的变化曲线。 相似文献