蒙脱石基复合光催化材料处理有机废水研究进展

半导体光催化作为一种绿色催化技术，具有广阔的应用前景。然而，到目前为止，光催化材料仍存在可见光利用率低，稳定性差，催化效率较低，难回收等问题。其中，光催化剂的负载化是解决回收与再利用的关键，也是其走向绿色应用的必由之路。蒙脱石是一种由颗粒极细的含水铝硅酸盐构成的层状矿物，在自然界中储量大、开采成本低，是一种优良的载体材料，在光催化材料中得到了广泛应用。本文系统介绍了目前蒙脱石基复合光催化材料的研究进展及其制备工艺，讨论了光催化技术在现实中的主要应用，最后对其发展前景进行了展望。     

复合跟踪微分器在电容式位移传感器中的应用

针对从含噪原始信号中提取位置以及速度信息,经典跟踪微分器存在不能很好兼顾相位滞后和噪声放大问题、参数多,调试复杂等不足.在跟踪微分器等效线性分析基础上,提出复合形式跟踪微分器,用于电容式位移传感器位置信号跟踪以及速度信号估计,通过MATLAB\SIMULINK仿真以及实验平台测试,结果表明:在跟踪频率1 Hz、幅值1含噪声正弦信号中,复合跟踪微分器能光滑逼近原始位置信号,且能有效进行速度估计,相较于经典跟踪微分器,复合跟踪微分器跟踪相位滞后小0.03 rad,能更好兼顾跟踪信号相位滞后及速度信号噪声放大.     

Ni~(26+)离子态分辨光复合过程的R矩阵理论研究

利用基于相对论R矩阵理论的DARC程序系统计算了Ni 25+离子基态1s22s(2S1/2)和激发态1s22p(2P1/2,2P3/2)的光电离截面,并通过细致平衡原理获得了统一的光复合过程(即辐射复合和双电子复合)态分辨的截面,计算结果给出了辐射复合与双电子复合过程间的干涉效应.为了标识和分析KLL共振能区所有的共振峰,基于相对论组态相互作用理论(RCI)的FAC程序被用来计算共振峰的能量、强度及其相关的双激发态的辐射、俄歇跃迁几率以及共振宽度等.利用统一的光复合截面进一步得到了KLL双电子复合过程的伴线强度,并与孤立共振近似下FAC的计算结果以及以前的理论和实验结果进行了比较,对存在的一致性和偏差进行了分析和讨论.     

影响高校残疾学生运动兴趣的因素及促进对策

本文以运动心理学为理论基础,采用文献资料法、调查问卷法、访谈法等研究方法就影响高校残疾学生运动兴趣的因素展开研究。经研究发现:运动需要满足差强人意、运动内容缺乏新奇性和适合性、成功体验机会少、运动技能水平低、师生关系欠融洽是导致残疾大学生运动兴趣的主要原因。在此基础上,提出了加强其运动兴趣的对策。     

青少年攀岩运动员赛前紧张因素分析与对策——以武汉市攀岩运动员为例

通过对武汉市50名9-16岁攀岩运动员进行调查与分析,认为对高度的恐惧心理、对比赛岩壁和线路的陌生感、对保护员的不适应、取胜动机过高等是青少年攀岩运动员赛前紧张的主要因素。并提出训练中可以采用"系统脱敏法"、"在不同场地、线路、保护员的条件下训练"、"降低取胜动机、加强心理辅导、开展模拟比赛"等训练方法来消除青少年攀岩运动员赛前紧张。     

多种教学方法在运动疗法教学中的综合应用

目的:提高教学质量,培养出适应社会需要的具有潜力的实用型康复人才。方法:根据运动疗法的专业特点,将学生临床实践能力的培养贯穿于整个运动疗法教学当中,根据不同的教学内容选择不同的教学方法。结果:根据不同的教学内容选择不同的教学方法,优化了学生的知识、能力和素质结构,取得了较好的效果。结论:只有根据临床需要认真研究教学内容,综合考虑教学各个方面的具体影响因素,选择出最合适的教学方法,才能在教学过程中取得事半功倍的效果,培养出适应社会需要的具有潜力的实用型康复人才。     

高校体育教师掌握运动伤害急救能力的困境及对策

针对近年频发的大学生运动伤害事故,从高校体育教师的角度,对体育教师掌握运动伤害急救理论知识、运动伤害急救技能以及立法的缺失进行了探讨,并提出了相应的对策.     

中国代表团取得冬奥会历史最好成绩

<正>2月20日晚，北京冬奥会圆满落下帷幕。连日来，中国奥运健儿们奋勇拼搏，带领中国冰雪运动实现新跨越。中国体育代表团在本届冬奥会多个项目上实现新突破，共收获九金四银两铜共15枚奖牌，位列奖牌榜第三名，取得了自1980年参加冬奥会以来的历史最好成绩。短道速滑是中国的传统优势项目。在2月5日首个比赛日，短道速滑队拼下一枚混合接力金牌，为中国代表团赢得首金。     

量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.