首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6841篇
  免费   502篇
  国内免费   4647篇
化学   7629篇
晶体学   82篇
力学   48篇
综合类   94篇
数学   11篇
物理学   861篇
综合类   3265篇
  2024年   33篇
  2023年   133篇
  2022年   127篇
  2021年   159篇
  2020年   127篇
  2019年   129篇
  2018年   84篇
  2017年   119篇
  2016年   138篇
  2015年   196篇
  2014年   411篇
  2013年   299篇
  2012年   347篇
  2011年   385篇
  2010年   344篇
  2009年   459篇
  2008年   517篇
  2007年   409篇
  2006年   456篇
  2005年   534篇
  2004年   403篇
  2003年   588篇
  2002年   452篇
  2001年   495篇
  2000年   419篇
  1999年   339篇
  1998年   343篇
  1997年   360篇
  1996年   297篇
  1995年   278篇
  1994年   294篇
  1993年   274篇
  1992年   278篇
  1991年   269篇
  1990年   305篇
  1989年   331篇
  1988年   177篇
  1987年   165篇
  1986年   155篇
  1985年   131篇
  1984年   103篇
  1983年   99篇
  1982年   14篇
  1981年   7篇
  1957年   3篇
  1951年   2篇
  1944年   1篇
  1943年   1篇
  1927年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1.
2.
在40℃恒温水浴下用次氯酸钠对2种煤液化残渣进行氧化,将反应所得混合物用滤膜过滤,滤出液依次用石油醚、二硫化碳、四氯化碳和乙酸乙酯萃取,得到的萃取物用气相色谱/质谱(GC/MS)分析.根据分析结果系统地考察了2种煤液化残渣中所含杂原子化合物的分布,为从煤液化残渣中选择性地脱除这些杂原子化合物及提取高附加值化学品提供了一条路径.  相似文献   
3.
对300℃时Mg-Zn-Ce系富镁侧化合物的成分特征、结构和相平衡关系进行了研究.结果表明,Mg-Zn-Ce富镁角存在一个Mg12Ce的二元置换固溶体(Mg,Zn)12Ce,还存在一个三元线性化合物(Mg,Zn)11Ce(τ相).(Mg,Zn)12Ce中Zn的范围为0~7.3%(原子分数),其晶体结构为体心四方晶格.三元线性化合物τ相含Zn为8.5%~43.5%(原子分数),其晶体结构为C底心正交晶格.(Mg,Zn)12Ce和τ相均与α(Mg)存在稳定的两相平衡,且在Mg-Zn-Ce系富镁角还存在三相平衡Mg+(Mg,Zn)12Ce+τ.  相似文献   
4.
在1100℃制备了钙钛矿型非计量系列物Sr_(1-x)Bi_xFeO_(3-y),与文献相比,明显具有温度低、时间短、能耗少的特点。用化学分析方法测得其化学式及Fe离子的平均价态,用XRD、交流阻抗、IR、Mossbauer谱等方法研究了其结构与性质,该类化合物具有Pm3m对称性和半导体性质,铁离子会产生电荷歧化现象。  相似文献   
5.
张殷全 《大学化学》2002,17(2):55-59
介绍了插烯规则的提出及其在解释和预测“异常”反应和“异常”产物以及“异常”理化性质上的应用  相似文献   
6.
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。  相似文献   
7.
对3-芳氧基-1,2-环氧丙烷类化合物合成方法进行了研究,对反应条件、操作过程及品质控制等方面进行了改进,合成了11个3-芳氧丙烷类化合物,改进后的方法实用,产率高于文献报道,有普遍的推广应用的价值。  相似文献   
8.
9.
人类从不满足于欣赏,而是要创新。犹如化学在发掘天然产物的过程中,创造出了不仅在数量上,而且在性能上也超越天然的合成化合物。人类在学习生物分子机器的过程中,定将会创造出人工分子机器。令人兴奋的是这一创造已经开始。  相似文献   
10.
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号