Fe掺杂对BiTaO_4陶瓷样品介电和铁电特性的影响

为探究Fe掺杂对BiTaO4陶瓷样品介电特性和铁电特性的影响,采用传统固相烧结法制备了Bi Ta1-xFexO4-x(x=0,0.01,0.03)陶瓷样品,利用X线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的晶体结构和表面形貌进行分析,利用精密阻抗分析仪和铁电分析仪对样品的介电性能和铁电性能进行检测.结果表明:Fe掺杂没有明显改变样品的晶体结构;随着Fe掺杂量的增加,样品的介电常数表现出较好的稳定性,介电损耗略有减小,且基本保持在tanδ=0.05以下,其漏电流先增大后减小,且掺杂样品均可得到比较完整的电滞回线.     

基于动态优化双钻头打孔机生产效能的研究

首先,对孔型加工及走刀方式进行分析,为提高打孔机效能,采用两钻头同时作业的方式。然后,根据相关的数据,应用动态优化的相关理论建立数学模型,并运用遗传算法进行求解,从而确立了双钻头作业时的最优作业线路、最佳行进时间和作业成本,并用MATLAB编写程序画出了相应图形,更加形象地显现出了各个路段的最优作业方案。     

机载雷达天线的稳定跟踪设计

作为一种精密跟踪机载雷达,需要在伺服控制技术的基础上,有效地隔离载机在机动状态和气流干扰时对飞行状态的影响,同时,拓宽伺服带宽,采用复合控制方法,实现高精度稳定跟踪的目标。     

Arm-Chair型SWCNT结构、电子特性及B掺杂对其的影响

采用密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)方法,通过构型优化得到硼原子掺杂前后的单壁碳纳米管SWCNT(4、4)稳态几何构型、能量、能带和态密度。并通过比较发现替代前后SWCNT在沿着c轴的方向键长增加;B原子取代使Fermi面附近SWCNT的价带和导带出现分裂;系统替代前后均具有金属性。     

如何成长为高层次科技人才?——基于“双一流”建设高校校长的履历分析

探究高层次科技人才的成长路径与流动规律有助于正确、高效地培养和引进高层次科技人才。基于137位中国"双一流"建设高校校长的履历数据,通过利用统计手段与社会网络分析法对其成长规律进行实证研究。研究发现,高层次科技人才普遍拥有境外成长经历,但博士阶段的学习主要在国内完成;博士后经历并不是高层次科技人才的必备经历;高层次科技人才普遍拥有在政府和其他高校工作的经历,行政因素是影响其职业成长的重要因素;高层次科技人才主要围绕中国、美国、德国、日本和英国进行流动;美国是高层次科技人才境外流动的主要目的国家和中介国家。为此建议:①科技人员应避免过分追逐境外经历,要积累丰富的行政、教学与科研经验,切实提升综合能力与素质;②政府部门在行政任免时应遵循"选贤任能,人尽其才"原则,不断完善人才国际交流合作机制;③开发、成立专门的科技人才管理系统和部门,着手建设精细化管理的高层次科技人才数据库。     

雷电波分析与比较研究

本文对双指数雷电流模型和 IEC1 3 1 2—— 1推荐的雷电流模型进行了分析和研究 ,计算了这两种雷电流模型的雷电流参数。在此基础上 ,用 FFT方法分析了雷电流的频谱分布     

Study of an athermal infrared dual band optical system design containing harmonic diffractive element

A harmonic diffractive element (HDE) is first successfully introduced to the athermal system of infrared dual band in this paper. In this system, there are only three lens and two materials, silicon and germanium. When the temperature ranges from -70℃ to 100℃ in the dual band,it can simultaneously accomplish the rectification of the longitudinal aberration in the big field of view, as well as the wave front aberration less than 1/4 wavelength. Modulation transfer function of dual band approaches or attains the diffraction limit. The calculation results show that the spectral properties of the HDE are between refractive and diffractive elements, so we can design a simple dual-band and athermal optical system by selecting the thickness and central wavelength of the HDE exactly. Compared with a conventional refractive optical system, this system not only reduces the demand for high technical levels, but also has a compact structure, few elements, a high transmittance better aberrations performances and athermal character. At the same time, the use of the HDE also offers a new element for the infrared optics design.     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。