三相电机调速系统设计

本文设计了三相电机调速系统,包括硬件电路、控制程序以及上位机监控三部分;可通过上位机任意给定速度目标值、设置合适的PID比例系数、积分系数以及微分系数,实时显示当前速度、稳态误差以及超调量;若速度超过高限或低于低限,系统会显示报警信息;结果表明:系统可以对三相电机速度进行有效调节。     

单片机在加热炉测温中的智能应用

系统研究的是以 8位单片机 89C5 2为核心的控制系统 ,用来控制小功率的加热炉 .该加热炉的炉温范围为 0℃～ 1 0 0 0℃ ,系统主要调节温度在 80 0℃左右 ,其精度可达± 1℃ .     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

基于RL&SM通用夹具系统的主动寻位技术及其实现方法

介绍了RL&SM通用夹具的寻位系统 ,描述了主动寻位与制造信息转换问题 ,提出和实现了相应的控制方法及其系统实现中的关键技术。理论分析与实验结果表明 ,提出的解决方法和技术是可行的 ,为RL&SM通用夹具系统的实际应用奠定了理论基础和技术支持     

V3+:YAG晶体的生长、色心与光谱性能研究

采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度.     

运用量子约束动力学对具有耗散的量子位的追踪控制

在有限温度环境内，量子约束动力学及其追踪控制可使退相干系统的相干性稳定一段时间.约束方程产生的控制场能够按量子比特的动力学状态进行控制(量子动力学轨道的反馈控制)；依靠量子比特的这种反馈效应，可使量子位稳定在设定的时间内.同时，在量子位的稳定方面，温度扮演一种消极的角色. 关键词： 量子约束动力学 耗散量子位的控制 追踪控制 量子比特的反馈效应     

势能引入的一种方法

本文给出了适合工科大学物理教学的势能引入的一种方法     

珠心算排积法论

二、3乘(一)本个数位乘数0246813579本个数0628439517(二)进数位乘数0123456789本个数0000111222(三)位积位积=本个+后进(允许够10数)合成位积的训练最好先用一笔清,然后再用脑算盘清理。有够10进位用“左手”。够10进位多数是后数有3与6的地方。例13×37,269........｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜虚半替半｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜}}够4进1够7进23×37269=0117073进03本个9,7进2,为17本个12本个6,6进1,为76本个8,9进2,为09本个7脑算盘清理为111,807。例23×68,194脑算盘清理为204,582。例33×94,762例43×29,507三、4乘(一)本个数位乘数0246813579本个…     

混合位级正交试验设计的极差分析方法

本文指出，在混合位级的正交试验设计中，以往的极差分析方法存在着不足。本文给出了极差的修正方法，并用大量实例做了数值验证，说明这个修正确实很有效