STM在微细加工中的应用

 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。     

纳米计量与原子光刻技术分析

为了说明原子光刻（Atom Lithography）在纳米计量及传递作用中的特殊地位，首先对纳米计量标准及其现状进行了简要介绍，提出纳米计量中原子光刻的基本概念和优势，结合原子光刻实验装置对原子光刻技术的工作机理进行了分析。结果表明，可以通过原子光刻技术得到纳米量级刻印条纹，为纳米计量及标准传递提供更加精确的手段。最后对常见的2种原子光刻技术——沉积型原子光刻和虚狭缝型原子光刻进行了阐述，指出2者的不同之处，为不同条件下原子光刻提供了一定的借鉴。     

超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

MEMS三维光刻技术的研究

微细加工技术是MEMS技术的核心技术，本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势，并提出了目前这些方法中存在的缺陷。     

高精度步进压印机热误差的建模分析

为了消除由紫外光曝光所引起的步进压印机的热误差，以提高压印机的套刻对准精度，运用逐步回归分析法选取了压印机上温度测量点的数量，将压印机上布置的温度传感器从15个减少到6个，并建立了压印机温度测量关键点处的温度与压头在x、z方向热误差关系的数学模型．实验结果与模型计算结果的对比分析表明，模型的热误差预测精度在x方向可以达到899／6，而在z方向可以达到939／6．应用表明，该方法是一种在压印机热误差建模中选择温度测量关键点的有效方法，可避免热误差建模过程中的变量耦合问题，从而提高了模型的精确性．     

氟化氢与涂有聚合物膜下二氧化硅的反应研究

ＨＦ与ＳｉＯ２的反应是一种亲核取代反应，但高温下此反应不能发生．当涂覆在ＳｉＯ２表面的聚合物膜中含有某些特殊的有机化合物或超强酸时，可以促进该反应的发生，这些化合物被称为诱蚀剂．诱蚀剂分三类：（１）三级胺与ＨＦ形成季铵盐得到浓度很高的氟阴离子使该反应很容易发生；（２）强的偶极非质子官能团化合物与ＨＦ中的氢形成氢键使氟的亲核活性增加，有助于该反应发生；（３）超强酸因其质子对ＳｉＯ２骨架中氧的牢固结合能力活化了反应的离去基团，对ＨＦ与ＳｉＯ２的亲核反应起到催化作用．聚合物膜对添加在其中的小分子诱蚀剂起到阻止逃逸的栅栏作用，而本身带有诱蚀官能团的聚合物可以同时充当成膜物及诱蚀剂的作用．通过光化学反应可以选择性地实现聚合物膜下ＨＦ与ＳｉＯ２的刻蚀反应．     

光刻蚀纤维素软片全息记录材料的红敏特性研究

对光刻蚀纤维素软片进行了红敏染料敏化及电子供体增感研究,用Ｋ因子作为评价参数进行实验优化,获得了感光速度快、灵敏度较高的红敏实验配方,同时对亚甲基蓝（ＭＢ）染料的漂白机理及电子供体的增感机理进行了初步探讨．     

软刻蚀及其应用

软刻蚀是一类基于自组装和复制模塑等原理的非光刻微米和纳米加工方法。它为形成和制作微米、纳米图案提供了简便、有效、价廉的途径。在软刻蚀中，用一个表面带图案的弹性模板来实现图案的转移，其加工的分辨率可达30nm－100μm。软刻蚀是微接触印刷、复制模塑、转移微模塑、毛细微模塑、溶剂辅助微模塑等的总称。本文将简介软刻蚀的原理、方法以及它们在微米和纳米加工、微电子学、材料科学、光学、微电子机械系统、表面化学等方面的应用。     

压印光刻中高精度莫尔对准方法的研究

针对分步压印光刻工艺中多层套刻的高精度对准问题,提出一种应用斜纹结构光栅副实现x、y、θ三自由度自动对准的方法.光栅副分为4个区域,应用光电转换器阵列检测光栅副相对移动所引起的莫尔信号变化,通过电路系统处理可同时得到在平面x、y、θ三自由度的对准信号.驱动环节采用直线电机和压电驱动器作为宏微两级驱动,其分辨率分别为0.2μm和0.1nm,在激光干涉仪全程监测下,与控制系统一起构成闭环系统实现自动对准定位.实验结果表明,在多层压印光刻工艺中,实现了压印工作台步进精度小于10nm的高精度定位要求,使整个对准系统的套刻精度小于30nm.因此,应用这种莫尔对准方法可以获得较高的对准精度,同时能够满足压印100nm特征尺寸套刻精度的要求.