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1.
耿素军 《太原师范学院学报(自然科学版)》2004,3(3):82-85
系统研究的是以 8位单片机 89C5 2为核心的控制系统 ,用来控制小功率的加热炉 .该加热炉的炉温范围为 0℃~ 1 0 0 0℃ ,系统主要调节温度在 80 0℃左右 ,其精度可达± 1℃ . 相似文献
2.
LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
任清褒 《西安交通大学学报》2004,38(6):645-648,656
基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径. 相似文献
3.
介绍了RL&SM通用夹具的寻位系统 ,描述了主动寻位与制造信息转换问题 ,提出和实现了相应的控制方法及其系统实现中的关键技术。理论分析与实验结果表明 ,提出的解决方法和技术是可行的 ,为RL&SM通用夹具系统的实际应用奠定了理论基础和技术支持 相似文献
4.
采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
5.
6.
7.
9.
二、3乘(一)本个数位乘数0246813579本个数0628439517(二)进数位乘数0123456789本个数0000111222(三)位积位积=本个+后进(允许够10数)合成位积的训练最好先用一笔清,然后再用脑算盘清理。有够10进位用“左手”。够10进位多数是后数有3与6的地方。例13×37,269........||||||||||虚半替半||||||||||}}够4进1够7进23×37269=0117073进03本个9,7进2,为17本个12本个6,6进1,为76本个8,9进2,为09本个7脑算盘清理为111,807。例23×68,194脑算盘清理为204,582。例33×94,762例43×29,507三、4乘(一)本个数位乘数0246813579本个… 相似文献
10.
混合位级正交试验设计的极差分析方法 总被引:3,自引:0,他引:3
本文指出,在混合位级的正交试验设计中,以往的极差分析方法存在着不足。本文给出了极差的修正方法,并用大量实例做了数值验证,说明这个修正确实很有效 相似文献