生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

丝网印刷普鲁士蓝修饰电极催化还原测定过氧化氢

制备了普鲁士蓝修饰的丝网印刷过氧化氢传感器,研究了过氧化氢在该修饰电极上的电催化还原特性,考察了有关修饰膜制备和试验条件对传感器性能的影响。结果表明,pH4.0的0.2mol·L-1KH2PO4 K2HPO4缓冲溶液(PBS)中,修饰电极对过氧化氢显示出快速的电化学响应,较高的稳定性、重现性和催化活性,测定的线性范围为1.0×10-5～1.0×10-3mol·L-1,相关系数为0.999,检出限为6.0×10-6mol·L-1(3σ)。电极制作方法简便,可用于实际样品的测定。     

亚甲基蓝为介体的甲胎蛋白免疫传感器的研制及应用

构建了快速测定血清中甲胎蛋白(AFP)含量的电流型免疫传感器,该免疫传感器是用壳聚糖固定电子媒介体亚甲基蓝和辣根过氧化物酶(HRP)标记的甲胎蛋白抗体于一次性丝网印刷碳电极(SPCE)表面制备而成。当该免疫传感器在含AFP样品的溶液中于30℃培育40 min后,抗原抗体的免疫结合会导致HRP标记对过氧化氢电催化氧化的效率降低。在优化的测定条件下,催化效率的降低与AFP浓度在5.0~110.0μg.L-1范围内呈线性关系,免疫分析的检出限为1.4μg.L-1(3σ)。对免疫传感器的精密度作了试验,同一支传感器测试结果的相对标准偏差为6.6%;当取3支用同一方法制备的传感器进行测试时,相对标准偏差为9.3%。放置7d后,传感器对AFP的响应值相当于初试值的88%,在pH 7.0的缓冲溶液中的还原电流为原值的96%。     

制备一次性碳质膜电极的新方法

报道了利用一种钢质模具在PVC底板上制作一次性碳质膜电极的新方法,并在此基础上探讨了影响该膜电极制备及其电化学特性的一些物理因素和化学因素.研究结果表明,用此方法制作的电极易于对其进行修饰,并用其做循环伏安扫描和电化学发光研究,表现出较好的电化学可逆性(ipa/ipc=1 16)、电化学发光重现性(RSD=1 5%,cLu=2.0×10-6mol/L,n=8)以及较好的灵敏度.     

自动丝网印花机控制系统硬件的研究

对改善瓷砖生产线中饰面砖印花机的定位精度和印刷质量，研究以８０３２单片机诉自动丝纲印花机控制系统，特别是采用硬件与软件相结合的方法，着重研究控制系统的硬件及外围接口，实验表明，该系统具有明显简化控制线路等优点。     

BWY-300半自动丝网印刷机的研制

主要从设备总体结构、工作原理以及各个部件的结构设计方法上详细介绍了BWY-300半自动丝网印刷机的设计过程,同时探讨了如何保证设备精度等问题。     

抗蚀聚酯环氧丝网印刷涂料的研制

以三羟甲基丙烷、间苯二甲酸、Cardura E10(E10)为原料合成聚酯树脂,探讨E10对聚酯树脂性能的影响;通过聚酯树脂、环氧树脂和氨基树脂制备丝网印刷涂料,研究环氧树脂用量和品种、功能性助剂对丝网印刷涂料性能的影响.工艺条件为m(E-44)/m(E-51)=2.33-4,w(H-201)=0.15%-0.2%,w(有机膨润土)=2.0%-4.0%,w(对甲苯磺酸)=3.0%-3.5%时,丝网印刷涂料150℃下烘干300 s,硬度为3 H,耐5%的HCl、H2SO4、NaOH和NaCl溶液7 d涂层不起泡、不脱落.     

丝网印刷电极及其在重金属快速检测中的应用

利用简单、快速、高灵敏的方法对食品中的重金属进行检测具有重要意义。丝网印刷电极（SPE）因具有小巧便携、样品用量少、成本低等优点,在电化学快速分析领域具有明显优势,可实现食品中重金属等污染物质的快速现场分析。该文主要介绍了丝网印刷电极的概念、制作工艺、制备材料和修饰材料,综述了丝网印刷电极在重金属快速检测方面的应用进展,并讨论了其目前形势及未来发展趋势。     

n型IBC太阳电池选择性发射极工艺研究

为提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用丝网印刷硼浆和高温扩散的方式形成选择性发射极结构,研究了硼扩散和硼浆印刷工艺对电池发射极钝化性能和接触性能的影响。实验结果表明,在硼扩散沉积时间和退火时间一定的条件下,硼扩散通源(BBr₃)流量为100 mL/min,沉积温度为830 ℃,退火温度为920 ℃时,发射极轻掺杂(p⁺)区域的隐开路电压达到710 mV,暗饱和电流密度为12.2 fA/cm²。发射极局部印刷硼浆湿重为220 mg时,经过高温硼扩散退火,重掺杂(p⁺⁺)区域的隐开路电压保持在683 mV左右,该区域方块电阻仅46 Ω/□,金属接触电阻为2.3 mΩ·cm². 采用该工艺方案制备的IBC电池最高光电转换效率达到24.40%,平均光电转换效率达到24.32%,相比现有IBC电池转换效率提升了0.28个百分点。