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1.
CRANAD-2 is a fluorogenic curcumin derivative used for near-infrared detection and imaging in vivo of amyloid aggregates, which are involved in neurodegenerative diseases. We explore the performance of CRANAD-2 in two super-resolution imaging techniques, namely stimulated emission depletion (STED) and single-molecule localization microscopy (SMLM), with markedly different fluorophore requirements. By conveniently adapting the concentration of CRANAD-2, which transiently binds to amyloid fibrils, we show that it performs well in both techniques, achieving a resolution in the range of 45–55 nm. Correlation of SMLM with atomic force microscopy (AFM) validates the resolution of fine features in the reconstructed super-resolved image. The good performance and versatility of CRANAD-2 provides a powerful tool for near-infrared nanoscopic imaging of amyloids in vitro and in vivo.  相似文献   
2.
Industrialized white organic light-emitting diodes (OLEDs) currently require host-guest doping, a complicated process necessitating precise control of the guest concentration to get high efficiency and stability. Two doping-free, hybrid white OLEDs with fluorescent blue, and phosphorescent green and red emissive layers (EMLs) are reported in this work. An ultra-thin red phosphorescent EML was situated in a blue-emitting electron transport layer (ETL), while the ultra-thin green phosphorescent EML was placed either in the ETL (Device 1), or the hole transport layer (HTL) (Device 2). Device 2 exhibits higher efficiency and more stable spectrum due to the enhanced utilization of excitons by ultra-thin green EML at the exciton generation zone within the HTL. Values of current efficiency (CE), power efficiency (PE), and CRI obtained for the optimized hybrid white OLEDs fabricated through a doping-free process were of 23.2 cd/A, 20.5 lm/W and 82 at 1000 cd/m2, respectively.  相似文献   
3.
碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(UId),发射电流密度、总电流与发射面积成正比:对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks,一个与两极距离和球半径之比(d/r)相关的函数,其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0,ks=1,d≥r的情况,ks接近于常数。对于10〈d/r〈100的情况,存在一个经验的表达式:ks=1+0.15d/s=0.005(d/r)^2。在引入ks后,不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述:I=a(E-Eo)^b,a,b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。  相似文献   
4.
在离子波纹摆动器中,改变电子束的入射方向,保证了离子波纹场的纵向分量为零,从而消除了纵向电场对离子波纹激光的不利影响。给出了束电子的运动轨迹,运用Madey定理计算了小振幅条件下该离子波纹激光的小信号增益。  相似文献   
5.
A general theory of operators on Boson Fock space is discussed in terms of the white noise distribution theory on Gaussian space (white noise calculus). An integral kernel operator is generalized from two aspects: (i) The use of an operator-valued distribution as an integral kernel leads us to the Fubini type theorem which allows an iterated integration in an integral kernel operator. As an application a white noise approach to quantum stochastic integrals is discussed and a quantum Hitsuda–Skorokhod integral is introduced. (ii) The use of pointwise derivatives of annihilation and creation operators assures the partial integration in an integral kernel operator. In particular, the particle flux density becomes a distribution with values in continuous operators on white noise functions and yields a representation of a Lie algebra of vector fields by means of such operators.  相似文献   
6.
碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究   总被引:9,自引:1,他引:8       下载免费PDF全文
对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.  相似文献   
7.
In this paper we discuss an initial-boundary value problem for a stochastic nonlinear equation arising in one-dimensional viscoelasticity. We propose to use a new direct method to obtain a solution. This method is expected to be applicable to a broad class of nonlinear stochastic partial differential equations.

  相似文献   

8.
9.
无掩模激光干涉光刻技术研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。  相似文献   
10.
激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了应用环境扫描电镜(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的(001)面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.  相似文献   
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