MPNIM结构光致变电容效应

本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.     

砷化镓倍频变容管的研制

倍频变容管的特性直接影响变容管倍频器的性能。文中介绍倍频变容管的设计 ,并制作出了与设计结果基本一致的器件。获得了输入 8GHz、5 0 0 m W,输出 16 GHz,最高倍频效率大于5 0 %的二倍频测试结果 ,并给出了 8mm四倍频器的使用结果     

High Performance Millimeter‐Wave Image Reject Low‐Noise Amplifier Using Inter‐stage Tunable Resonators

A Q‐band pHEMT image‐rejection low‐noise amplifier (IR‐LNA) is presented using inter‐stage tunable resonators. The inter‐stage L‐C resonators can maximize an image rejection by functioning as inter‐stage matching circuits at an operating frequency (F_OP) and short circuits at an image frequency (F_IM). In addition, it also brings more wideband image rejection than conventional notch filters. Moreover, tunable varactors in L‐C resonators not only compensate for the mismatch of an image frequency induced by the process variation or model error but can also change the image frequency according to a required RF frequency. The implemented pHEMT IR‐LNA shows 54.3 dB maximum image rejection ratio (IRR). By changing the varactor bias, the image frequency shifts from 27 GHz to 37 GHz with over 40 dB IRR, a 19.1 dB to 17.6 dB peak gain, and 3.2 dB to 4.3 dB noise figure. To the best of the authors' knowledge, it shows the highest IRR and F_IM/F_OP of the reported millimeter/quasi‐millimeter wave IR‐LNAs.     

基于变容二极管的忆阻PID自适应控制系统设计

为了解决传统PID控制器参数不易整定以及控制过程中无法进行参数动态调整的问题,引入了基于变容二极管的忆阻器模型,提出了忆阻PID自适应控制系统,实现了PID控制系统中参数的自动更新.在理论推导的基础之上,进行了Multisim仿真与物理实验.观察了对正弦波和三角波信号的控制结果,并在现有研究成果之上对冲激信号的控制效果...     

V波段变容管三倍频器

设计制作了一个从22.8GHz到68.4GHz的封装型变容管三倍频器,这是目前报导的用封装型变容管所达到的最高频率。该倍频器在结构上实现了空闲回路独立可调,从而提高了倍频效率。当频率为22.8GHz而输入功率为47mW时,最大三次谐波输出为4.9mW,最大倍频效率为10.4％,输出频率至少在2GHz的范围内倍频效率不低于7％。     

A 4.2-5 GHz,low phase noise LC-VCO with constant bandwidth and small tuning gain

As the tuning frequency of an integrated LC-voltage controlled oscillator （LC-VCO） increases, it is difficult to co-design the active negative resistance core and the varactor to achieve wideband frequency range, low phase noise, constant bandwidth and small tuning gain together. The presented VCO solves the problem by designing a set of changeable varactor units. The whole VCO was implemented in a 0.18μm CMOS process. The measured result shows -120 dBc/Hz phase noise at 1 MHz offset. The measured tuning range is from 4.2 to 5 GHz and the tuning gain is 8-10 MHz/V. The VCO draws 4 mA from a 1.5 V supply voltage.     

基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO

提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

一种电调谐滤波器的设计改进方法

电调谐滤波器因其成本低、体积小和良好的跟踪滤波特性在射频接收领域得到了广泛应用和发展。通过分析耦合因子对调谐回路的影响,介绍了一种电调谐滤波器的设计改进方法,解决了宽频带使用时调谐回路耦合因子变化较大的缺点,与常规设计方法相比,滤波器的使用性能有较大的改善和提高。结合ADS仿真和实际测量,验证了该方法的正确性。     

140 GHz二倍频器的研制

太赫兹通信中本振链输出功率无法满足实际需求,因此提出一种基于肖特基变容二极管的宽带、高效率140 GHz 二倍频器设计方案。该倍频器结构基于波导腔体石英基片微带电路的混合集成方式实现。采用三维有限元与非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了倍频器的最优化设计。根据仿真结果,完成了140 GHz二倍频器的加工、制作与测试工作。实测结果表明,在20 dBm的驱动功率下,倍频器的输出功率最高达6.6 mW,倍频效率7.15%;输入功率23 dBm对应的最大输出功率可达11.2 mW。该器件的成功研制使得实现太赫兹通信中的本振链成为可能。