GaAs MMIC中平面Schottky Diode的C－V特性解析模型

本文提出一种采用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下沟道串联电阻及侧电容对平面ＳｃｈａｔｔｋｙｄｉｏｄｅＣ－Ｖ特性的影响，这些影响对平面变容管影响较显著而在已有的模型中是被忽略或未作详细讨论的．文中还给出了该模型的算例及与实验结果，已有的几种典型模型算例的比较．结果表明，本文模型中参数易确定，与实验亦附合得很好．     

全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究

模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器。采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数。取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54mm×54mm的单色显示屏。在阳压为1500V、栅压为300V时,器件发射电流密度达到5μA/cm2。该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示。