无Y电容开关电源的EMI抑制方法研究

在要求低漏电流的电子设备中使用的开关电源不能采用Y电容,但无Y电容的开关电源往往难以通过EMC测试。文中通过分析开关电源中造成电磁干扰问题的原因和解决方法,提出利用吸收电路来抑制无Y电容情况下开关电源的电磁干扰。测试表明,这种方法可以有效解决无Y电容的开关电源中EMI问题。     

吸收电容对LED电源EMI的抑制实例分析

根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。     

零电压换流条件分析与设计

研究移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB-ZVS-PWM)的换流过程。针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成困难的特点，文中放弃了负载电流为恒流源的假设，推导了描述其换流过程的方程。基于这些方程，研究了实现软开关的条件，并用仿真和实验结果验证了该方程的正确性。文中还用一设计实例来说明了这些等式的应用。     

一种用于投影光源的高性能电子镇流器

提出了一种用于投影光源的高性能电子镇流器.主电路采用无源无损的缓冲电路,减小了由于续流二极管反向恢复所引起的开通损耗,提高了镇流器的效率.以数字控制器为核心,结合模拟方式的PWM控制,实现了恒功率控制.分析了镇流器的工作原理并给出了实验结果,实验结果表明该镇流器具有电路简单、可靠性高的优点,实验样机的效率达到了94%.     

一种新型软开关DC-DC PWM升压变换器设计

为提高转换效率并降低电源开关的电流应力,提出一种基于新型有源缓冲电路的PWM DC-DC升压变换器。该有源缓冲电路使用ZVT—ZCT软开关技术,分别提供了总开关ZVT开启及ZCT闭合、辅助开关ZCS开启及ZCT闭合。消除了总开关额外的电流及电压应力,消除了辅助开关电压应力,且有源缓冲电路的耦合电感降低了电流应力。另外,通过连续将二极管添加到辅助开关电路,防止来自共振电路的输入电流应力进入总开关。实验结果表明,相比传统的PWM变换器,新的DC-DC PWM升压变换器在满负荷时电流应力降低且总体效率能达到98.7%。     

Marx调制器单元设计和叠加测试

 基于单元器件的成功研制,介绍了Marx调制器单元充放电回路、电压和电流的实时监测以及控制系统和连锁保护等功能的设计和实现。对IGBT固态开关的静态、动态均压进行分析和模拟,采用RCD缓冲电路实现IGBT的动态均压;对控制系统改进和优化,设计了专用电源转换模块;分压电路和电流霍尔采样回路分别实现调制器单元电压和电流的检测;连锁保护功能由控制系统和继电器控制完成。所有部件按照电气标准设计在调制器单元支架上。经过测试的4个单元进行了叠加试验,4个单元总输出24 kV,各器件在高压试验中工作正常。     

脉冲激光电源的实用IGBT驱动电路设计

分析了大功率脉冲激光电源中IGBT模块所需驱动电路的基本要求,设计了一种IGBT驱动电路,并采用反激变换器作为其供电电源的解决方案.讨论了不连续导电模式情形下具有缓冲电路的反激变压器储能转换率的计算,由此确定了反激变压器和缓冲电路的核心参数.以单片开关电源VIPer22ADIP为关键器件,设计了输出为18V/5W的稳压型反激变换器,从而为实现全开关化的脉冲激光电源提供了可能.     

基于Saber的IGBT逆变桥无损缓冲电路的仿真分析

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)缓冲电路对抑制IGBT开关过程中产生的尖峰电压具有重要作用。本文通过分析无损缓冲电路的原理及特点,结合原有RCD缓冲电路,探索研究了一种新的适用于IGBT逆变桥的无损缓冲电路,并采用Saber软件对两种电路进行了仿真分析,对比比较了两种缓冲吸收电路的优缺点。仿真结果验证了新无损缓冲电路抑制IGBT关断过电压的可靠性。     

EAST中性束注入器用高压缓冲器分析

中性束注入(NBI)加速器短路故障时,根据B-H曲线和高压缓冲器的结构尺寸,在Fink的Snubber分析方法基础上,分别导出高压缓冲器任意铁芯叠片层的感应电压、涡流电阻与铁芯叠片层饱和深度的关系;利用安培环路定律,推出不同铁芯叠片层中涡流大小、饱和深度表达式,从而导出整个高压缓冲器随铁芯饱和深度变化的等效涡流电阻的表达式。根据Snubber的等效涡流电阻及NBI系统的杂散电容,分析故障时的瞬态短路电流回路,得到了铁芯叠片饱和深度的指数时间常数与电弧电流的表达式;得出高压缓冲器铁芯叠片的最大宽度及最小厚度分别为28 mm和114 μm。经实验测试和理论计算对比分析可知,铁芯叠片饱和深度的指数时间常数的测试值与理论值基本吻合。     

电子装置的过压和过流保护与器件

阐述了电子装置过压、过流的三维防护技术，结合三维防护技术论述了浪涌保护系统和浪涌保护器件，介绍了过压、过流保护新器件的发展和应用。