A sub-circuit MOSFET model with a wide temperature range including cryogenic temperature

A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性：准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等. 与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中. 模型的实际应用结果显示：模拟与实测结果误差在5%以内.     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中.模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.     

钟控神经元MOS晶体管的改进HSPICE宏模型

为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题,提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型,采用HSPICE对器件进行了建模,并对模型进行了验证。验证结果表明,改进的模型既适用于普通神经元MOS,可以进行直流特性扫描分析,也可以进行瞬态特性分析;由于模型具有自动"记忆"预充电阶段输入端电平的功能,因此即使在不同的周期输入端所接固定电平不同,也可以进行连续任意个周期的瞬态特性仿真,从而使改进的模型具有更大的灵活性和实用性。     

一个适用于极低温的宽温度范围子电路MOSFET模型

本文描述了一个适用于低温下的MOSFET子电路SPICE模型。其中引入了两个电阻用于描述冻析效应,并开发了这两个电阻的解析的行为模型。该模型在从极低温到常温的较宽的温度范围内均适用。     

An advanced physics-based sub-circuit model of a punch-trough insulated gate bipolar transistor

An advanced sub-circuit model of the punch-trough insulated gate bipolar transistor (PT IGBT) based on the physics of internal device operation has been described in this article. The one-dimensional physical model of low-gain wide-base BJT is employed based on the equivalent non-linear lossy transmission line, whereas a SPICE Level 3 model is used for the diffused MOST part. The influence of voltage dependent drain-to-gate overlapping capacitance and the conductivity modulated base (drain) ohmic resistance are modelled separately. The main advantages of novel PT IGBT model are a small set of model parameters, an easy implementation in SPICE simulator and the high accuracy confirmed by comparing the simulation results with the electrical measurements of test power circuit.     

VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取

从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参数提取软件中的加载结果表明,该模型结构简单,运算速度快,物理概念清晰,拟合曲线与测试数据符合精度高(直流误差5%以内,交流误差10%以内),适于在电路模拟及参数提取软件中应用.     

一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮栅。理论分析和采用自建的 PSPICE子电路模型进行的模拟分析表明 ,通过传输门接入浮栅的多种控制电平的不同组合可以对器件的阈值进行有效地控制。由于新结构可以消除热载流子注入对其可靠性的影响和具有相对高的速度 ,因此 ,它是一种具有较大潜力的 SOC(片上系统 )单元器件。     

钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE子电路模型 (库 ) ;并利用该模型对由钟控 Neu MOS晶体管构建的电路进行了实时模拟 ,模拟结果与电路特性的实测结果有很好的吻合 ,因此可证明建立的子电路模型 (库 )可用于钟控 Neu MOS晶体管电路的设计和模拟验证。