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1.
亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术
梁京
黄榕旭
郑国祥
林健
庞海舟
宗祥福
《半导体学报》
2000,21(6):614-619
在亚微米 IC器件的铝金属化工艺中 ,采用了阻挡层和硅化物后 ,发现随着铝淀积温度的升高 ,铝的阶梯覆盖率有所提高 .为克服高温淀积带来的问题 ,采用了两步的冷 /热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射 .通过研究和一系列的比较实验 ,发现影响铝填充性能的主要因素为 :热铝淀积温度、热铝淀积功率、Ti浸润层厚度及冷热铝厚度比 .由此得到了适合于实际亚微米 IC器件生产的金属化工艺优化条件
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