Resistive switching characteristics of ZnO–graphene quantum dots and their use as an active component of an organic memory cell with one diode-one resistor architecture

We investigated the resistive switching characteristics of a polystyrene:ZnO–graphene quantum dots system and its potential application in a one diode-one resistor architecture of an organic memory cell. The log–log I–V plot and the temperature-variable I–V measurements revealed that the switching mechanism in a low-current state is closely related to thermally activated transport. The turn-on process was induced by a space-charge-limited current mechanism resulted from the ZnO–graphene quantum dots acting as charge trap sites, and charge transfer through filamentary path. The memory device with a diode presented a ∼10³ I_ON/I_OFF ratio, stable endurance cycles (10² cycles) and retention times (10⁴ s), and uniform cell-to-cell switching. The one diode-one resistor architecture can effectively reduce cross-talk issue and realize a cross bar array as large as ∼3 kbit in the readout margin estimation. Furthermore, a specific word was encoded using the standard ASCII character code.     

钌基厚膜电阻传导模型初探

介绍钌基厚膜电阻的三种传导模型。三种模型都可以得到较满意的R—V曲线，不足处是链模型得出电阻率和导电相粒子形状及尺寸的关系和实验事实不符；有效介质模型不能反映厚膜电阻形成过程中众多因素的影响；渗透模型很多参数的获得有赖经验公式。渗透模型能反映烧结过程中更多因素的影响，并可解释方阻与导电相粒度及峰值温度的变化关系。     

片式阻容元件的现状和发展方向

在国外的片式元器件（ＳＭＤ）中，片式阻容元件发展最快，主要表现为片式化率迅速上升，尺寸越来越小，性能越来越好，包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展，指出了我国的差距，提出了我国如何发展的措施。     

多级并接型权电阻DAC的设计

多级并接型权电阻解码网络结构简单，分析方便，文章给出了普通的和BCD码多级并接型权电阻解码网络，推导出了各级与运放的连接电阻的通用公式，并用EWB软件进行了电路模拟，这种方法对自行设计权电阻DAC有一定的参考价值。     

热敏电阻温度计的设计与制作

本文介绍了设计性实验“热敏电阻的设计与制作”的实施情况。说明了只要选题合适、要求恰当,设计性实验不仅可行,而且对物理实验训练的总结提高十分有效。     

多层PCB中内埋电阻的特性分析及应用

计算、分析了多层PCB内埋平面电阻的特性，并将其应用于一种多层射频板威尔金森功分器的设计，研究并分析了平面电阻尺寸对该功分器射频性能的影响。     

基于负温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测微桥谐振器的新型红外探测器

报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红外辐射引起微桥温度升高,激励电阻和检测电桥的阻值减小,使得恒定激励电压作用下激励电阻的静态功率和惠斯登电桥的焦耳热增加,等效于增加了辐射在微桥谐振器上的红外辐射.初步的实验证实了该方案的可行性.     

微型薄膜电阻的制备及研究

将具有优异特性的碳纳米管（CNTS）与负性感光胶（SU-8 2002）混合得到复合材料,将不同比例的碳纳米管通过超声工艺分散到SU-8 2002感光胶中,通过UV-LIGA加工工艺,热压处理后实现了微型电阻的快速制备。对复合薄膜电阻的性能进行测试,测试结果表明复合薄膜电阻率随着碳纳米管比例的增加而减小,当碳纳米管的比例为12%时,电阻率减小到0.06 ,复合材料达到逾渗阈值,频率小于1.2GHz时,电阻值的变化范围小于5%,为快速制备微型电阻提供了新的方法。     

CMOS集成温度传感器中的器件模型分析

根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。     

透反液晶显示器在头盔显示器中的应用

在强光条件下头盔显示器高亮度显示带来的视觉模糊问题较为突出,透反液晶显示器能够较好地解决这个问题,设计了光敏电阻控制电路感知外界光线强度,控制透视模式和反射模式的切换,并给出了电路安装的方案,仿真试验取得了较好的效果,具有良好的应用前景.