Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

美国三大公司激光二极管的最新进展

在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上，美国的Alfalight公司公布了25℃，22W，970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署（DARPA）超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率（PCE）为80％的目标计划进展。他们的最新结果是，带1mm长腔的占空比为20％的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71％。     

二极管侧面抽运薄片激光器耦合系统研究

设计了二极管侧面抽运Nd:YAG薄片激光器,耦合系统由消像差透镜组和空心光波导组成,对二极管快轴和慢轴方向的抽运光进行压缩和均匀化.采用光线追迹法,同时考虑二极管在快轴和慢轴方向的发散特性及薄片侧面的散射特性,模拟并分析了光线在耦合系统内的传输和薄片内抽运光分布的规律.模拟结果表明耦合系统具有98.1%的耦合效率,同时薄片内具有理想的抽运光分布.     

长春光机所在国际上首次实现ZnO pn结室温电致发光

由长春光机所、厦门大学共同承担的重点项目“氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究”已通过国家自然科学基金委员会信息科学部专家组的中期检查验收。经过刻苦攻关，项目组在关键问题上取得了突破，在国内率先获得了ZnO同质结的电致发光，并且在国际上首次实现了蓝宝石衬底生长的Zn Opn结室温电致发光，为今后ZnO蓝紫外发光和激光二极管的发展奠定了实验基础。     

AD590在光电测量电路中的应用

温度传感器是用来感测温度的，因此利用温度传感器可以将周围环境中温度的变化转换成电流或电压的变化，从而可以实现电流或电压的调整。现以AD590为例介绍温度传感器在激光器和光检测器中的这种应用。     

高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

元器件与组件

高度为0.98mm的SMF二极管120多款二极管器件已采用SMF(DO219-AB)封装,该封装综合了高功率和微型尺寸(3.7 mm×1.8mm×0.98mm)的优势,高度仅为0.98mm,比同类型器件低50%,减少了空间要求,提高了电路板密度。折叠引线框专利技术提供高功率和低正向电压,可以确保最佳的功率效率和优越的冲击电流功能,在保护器件方面的优良效率可与接线封装比肩。利用低漏电硅片技术设计了这一新的节能封装。SMF(DO219-AB)也在环保型无铅(Pb)封装平台上提供了此加强功能。其回流焊温度为260℃,湿度灵敏度(MSL)为1,与现有回流焊流程后向兼容。Vishayhttp:…     

无线电遥控多路开关系统的设计

文章介绍了一种应用新型射频收发模块对,并结合编译码芯片组设计无线电遥控多路开关系统的方法。在该方法中详细阐述了无线电遥控开关系统的组成结构和工作原理。其中,在发射电路中我们采用二极管组合逻辑开关阵列实现对开关按键编址,从而对受控电路进行选择控制,明显降低了系统成本;在接收控制电路中引入单片机,通过充分利用其软、硬件资源,使系统具有优异的可扩展性、可升级性和操作方便等特点。