Statistical Piezotronic Effect in Nanocrystal Bulk by Anisotropic Geometry Control

Utilizing inner-crystal piezoelectric polarization charges to control carrier transport across a metal-semiconductor or semiconductor–semiconductor interface, piezotronic effect has great potential applications in smart micro/nano-electromechanical system (MEMS/NEMS), human-machine interfacing, and nanorobotics. However, current research on piezotronics has mainly focused on systems with only one or rather limited interfaces. Here, the statistical piezotronic effect is reported in ZnO bulk composited of nanoplatelets, of which the strain/stress-induced piezo-potential at the crystals’ interfaces can effectively gate the electrical transport of ZnO bulk. It is a statistical phenomenon of piezotronic modification of large numbers of interfaces, and the crystal orientation of inner ZnO nanoplatelets strongly influence the transport property of ZnO bulk. With optimum preferred orientation of ZnO nanoplatelets, the bulk exhibits an increased conductivity with decreasing stress at a high pressure range of 200–400 MPa, which has not been observed previously in bulk. A maximum sensitivity of 1.149 µS m⁻¹ MPa⁻¹ and a corresponding gauge factor of 467–589 have been achieved. As a statistical phenomenon of many piezotronic interfaces modulation, the proposed statistical piezotronic effect extends the connotation of piezotronics and promotes its practical applications in intelligent sensing.     

大口径光学元件装夹转运结构设计及分析

为了实现大口径光学元件的安全装夹、转运,通过光学元件开槽与不开槽两种装夹方式的分析,得出开槽夹紧转运方式将带来微裂纹、应力集中、成本高等缺陷,提出了利用摩擦力克服光学零件的重力和惯性力的低应力装夹转运方案。通过对光学元件低应力夹紧结构设计,并利用有限元分析方法,得到不开槽装夹方式下,光学元件的最大主应力为1.11 MPa,最大切应力为0.73 MPa,远低于光学元件破坏的强度极限,且受力均匀,无应力集中现象。     

Time-dependent Ginzburg–Landau equations for multi-gap superconductors

We numerically solve the time-dependent Ginzburg–Landau equations for two-gap superconductors using the finite-element technique. The real-time simulation shows that at low magnetic field, the vortices in small-size samples tend to form clusters or other disorder structures. When the sample size is large, stripes appear in the pattern. These results are in good agreement with the previous experimental observations of the intriguing anomalous vortex pattern, providing a reliable theoretical basis for the future applications of multi-gap superconductors.     

压电驱动器迟滞特性的Preisach模型研究

压电驱动器的迟滞特性是影响其位移输出精度的主要因素。该文采用改进的Preisach模型对压电驱动器的迟滞特性进行建模，并进行了相应的实验研究。实验结果表明该模型可以很好地预测压电驱动器在经过一定的控制电压序列以后的位移输出值．能够有效地降低迟滞特性对压电驱动器位移输出精度的影响。     

基于压电陶瓷动态信息的结构裂纹识别方法

利用压电陶瓷的动态特性和压电系统的动态信息,对铝梁的裂纹损伤进行了分析研究。随着梁裂纹尺寸的增加,压电陶瓷片的导钠幅值下降,且系统固有频率减小。利用导钠幅值的变化和系统的动态信息,可以对裂纹的位置和尺寸大小进行识别。实验证明该方法的有效性。     

电信企业信息化统一模型构建策略

电信企业信息化的实质就是赋予电信企业精细化的企业资源整合能力，本以此认识为出发点，通过定义基本的信息化业务元素，需求参数和基本信息处理机制，构建出带有行业共性的电信企业信息化统一模型，该模型针对目前电信企业信息化中常见的和潜在的问题提供了有效的解决措施。     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

CPL冷凝单管融化过程的双倒易边界元分析

1引言CPL（毛细泵两相流回路）能传输较高的热负荷，而且不需要循环泵、阀门等运动部件，重量轻可靠性好；在飞行器热控制方面有很好的应用前景[1]。CPL在恶劣的空间环境中运行，需要防止工作介质出现冷冻，为此，我们已经用解析[2]和数值的方法[3]进行了初步的分析，得到了一些可供工程设计参考应用的结果。另外，在恶劣的空间环境中，如果出现冻结，需要融化起动，热管的安全设计需要研究它的融化特性，以确保热管在空间能正常运行。双倒易边界元方法用Laplace基本解[4]，通过对一类偏微分方程两侧进行转化，将它全部转化为纯边界积分…