基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

微马达转子电镀导磁层的研究

本文推荐一种镀液，用于制作电磁型微电机转子坡莫合金导磁层，研究了该镀液的组成和工作条件对镀层成份和内应力的影响，表明该镀液具有可供选用的电流密度范围宽，允许较高Ｆｅ２－浓度和镀层内应力低等优点。     

A novel magnetic random access memory design using square ring elements for the hard layer

The behavior of narrow permalloy square rings under the influence of a magnetic field was studied using magnetic force microscopy (MFM). Two stable states of opposite polarity at remanence and simple switching were observed. We propose a design for the hard layer of magnetic random access memory (MRAM) that uses these states in square rings for data storage.     

Annealing behavior of electroplated permalloy thin films. II

The isochronal and isothermal annealing behavior of electroplated Ni-Fe thin films in the temperature range 373°–773°K has been investigated through measurements of electrical resistivity, coercivity, and relative permeability. Analysis of the experimental data indicates that the resistivity decrease is characterized by an activation energy of about 0.70 eV for temperatures up to 550 ° K, and by an activation energy of about 1.82 eV above this temperature. The coercivity initially decreases with an activation energy of about 0.71 eV, and then increases with activation energies up to 1.81 eV. The relative permeability decreases with an activation energy of 1.01 eV. The significance of these activation energies is discussed in terms of structural changes, and the results are compared with the annealing behavior of vapor deposited Ni-Fe thin films.     

合肥光源直流流强检测器系统的磁屏蔽

分析和测试了合肥光源杂散场对直流流强检测器系统的影响。给出了合肥光源ＤＣＣＴ系统的磁屏蔽的计算、设计和测量结果。屏蔽后,由杂散场引起的ＤＣＣＴ零漂由１ｍＡ降至１０μＡ以下。     

NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响

以NiFeNb为种子层，制备(Ni₇₉Fe₂₁)_1-xNb_{x(5nm)/(Ni79Fe21) (20nm)/Ta(3nm)系列膜，并对其颗粒大小、 磁滞回线及表面粗糙度等进行测量，探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果 表明，以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构. Nb含量为23％时的磁滞回线有最 小的最大磁能积、矫顽力.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因 素造成种子层具有不同的表面粗糙度，进而使坡莫合金具有不同的微结构和磁性能. 关键词： NiFeNb种子层 坡莫合金 磁滞回线 粗糙度}     

缺陷对坡莫合金薄膜磁畴翻转钉扎影响的洛伦兹透射电镜显微研究

利用磁控溅射法,在具有孔洞缺陷的铜网碳膜上成功地溅射了一层厚度100 nm,具有圆形缺陷的坡莫合金薄膜。结合常规透射电镜分析测试,研究了此类缺陷的形成机理及结构性质。利用洛伦兹透射电镜观察缺陷对周围磁矩的影响,以及在磁化反转过程中,缺陷对畴壁运动的影响。结果表明,此类缺陷是不同于膜本身的第二相弱磁性材料,它对畴壁的运动有着先排斥后吸引的钉扎作用。     

利用玻莫合金磁阻传感器测量弱磁场

介绍一种新型玻莫合金磁阻传感器，利用玻莫合金磁阻传感器测量弱电流下的亥姆霍兹线圈磁场分布和验证毕奥萨瓦定理。     

利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究

利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型.