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1.
利用扫描近场光学显微术(SNOM),观测并分析了基于银膜衬底上CdS纳米带的介质加载表面等离激元(Dielectric-loaded Surface Plasmon Polariton,DLSPP)的激发现象.通过SNOM可以观察到纳米带不同位置的光致荧光光谱峰位有30 meV的红移量.利用Franz-Keldysh效应可以很好地解释能量红移的产生.有限时域差分法的模拟结果进一步验证了实验中观测的现象.这种DLSPP的激发结构,对于光子集成电路及基于等离激元的微纳器件波导有实际意义.  相似文献   
2.
基于微磁学理论和模拟研究电流驱动的斯格明子的移动特性.相对于纳米带,凹槽纳米带可提供更大的边缘排斥力抑制斯格明子横向移动,最大驱动电流(Jmax)和最大斯格明子移动速度(Vmax)显著增加.随着注入电流密度的增加,凹槽纳米带内斯格明子移动速度先增加到最大速度,而后减小或保持不变.通过增加边缘宽度或厚度,Jmax和Vma...  相似文献   
3.
It is promising to apply quantum-mechanically confined graphene systems in field-effect transistors. High stability, superior performance, and large-scale integration are the main challenges facing the practical application of graphene transistors. Our understandings of the adatom-graphene interaction combined with recent progress in the nanofabrication technology indicate that very stable and high-quality graphene nanostripes could be integrated in substrate-supported functionalized (hydrogenated or fluorinated) graphene using electron-beam lithography. We also propose that parallelizing a couple of graphene nanostripes in a transistor should be preferred for practical application, which is also very useful for transistors based on graphene nanoribbon.  相似文献   
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