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1.
三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。 相似文献
2.
3.
4.
A new method for constructing infinite families of k-tight optimal double loop networks 总被引:2,自引:0,他引:2
CHEN Xiebin Department of Mathematics Information Science Zhangzhou Teachers College Zhangzhou China 《中国科学A辑(英文版)》2006,49(4)
The double loop network (DLN) is a circulant digraph with n nodes and outdegree 2. DLN has been widely used in the designing of local area networks and distributed systems. In this paper, a new method for constructing infinite families of k-tight optimal DLN is presented. For k = 0,1,…,40, the infinite families of k-tight optimal DLN can be constructed by the new method, where the number nk(t,a) of their nodes is a polynomial of degree 2 in t and contains a parameter a. And a conjecture is proposed. 相似文献
5.
6.
The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and √T‐dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1‐kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip‐chip bonded to a 0.35 µm CMOS‐based PQR laser driver. The PQR‐CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization. 相似文献
7.
PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。 相似文献
8.
介绍超大规模集成电路(VLSI)波导(?)互连技术的最新进展,并预测其发展方向,以及如阿解决存在的实际问题。 相似文献
9.
计算机网络互连模式及实现技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了计算机网络互连的体系结构模式及实现技术。文中先论述了ISO、DOD和Pup网际互连参考模式,然后讨论了网络互连的主要实现技术:互连层,网际寻址,网际路由选择,信包分拆与重装,网际流控与拥挤控制,网际保安与差错控制,网际信关与桥以及协议转换等技术。 相似文献
10.
建立光互连模块有限元分析模型并进行热循环加载有限元分析,获取了垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)与耦合元件间的位置偏移;采用正交实验设计法设计了不同焊点结构参数组合并建立有限元模型,计算相应焊点形态参数组合下的位置偏移数据并进行方差分析.结果表明:在一个热循环周期内低温保温结束时刻位置偏移最大;外端光通道的位置偏移比中间光通道的偏移值大;在置信度为95%时VCSEL焊点高度对对准偏移具有显著影响,因素显著性排序由大到小依次为:VCSEL焊点高度、陶瓷基板焊点高度、VCSEL焊点体积和陶瓷基板焊点体积;单因子变量分析表明,位置偏移随VCSEL焊点高度增加而增大. 相似文献