基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术

为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4％,11.3％,10.4％和11.6％.     

Decay rate for viscoelastic wave equation of variable coefficients with delay and dynamic boundary conditions

In this paper, we consider a viscoelastic wave equation of variable coefficients in the presence of past history with nonlinear damping and delay in the internal feedback and dynamic boundary conditions. Under suitable assumptions, we establish an explicit and general decay rate result without imposing restrictive assumption on the behavior of the relaxation function at infinity by Riemannian geometry method and Lyapunov functional method.     

低插损窄带型10.7MHz压电陶瓷滤波器的研制

介绍了低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的一种设计制作方法。结合压电陶瓷能陷模理论,通过对滤波器分割电极设计和制造工艺控制技术的研究,强调了工艺控制的重要性。产品达到日本村田同类产品水平,对国产化窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的研发和生产具有十分重要的意义。认为选用高Qm值压电陶瓷材料、分割电极和耦合电容的设计、焊接和点蜡工艺的控制等是研制低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的重点。     

Multiple Scan Chain Design for Two-Pattern Testing

Non-standard fault models often require the application of two-pattern testing. A fully-automated approach for generating a multiple scan chain-based architecture is presented so that two-pattern test sets generated for the combinational core can be applied to the sequential circuit. Test time and area overhead constraints are considered.     

基于光纤环的光缓存器

提出了一种基于光纤环的光缓存器的结构,对结合半导体光放大器作光开关的此结构的物理模型进行了详细描述,并根据此模型分析了其增益、噪声、信噪比等方面的特性.     

DMT系统中一种易于实现的时域均衡器

总结了DMT系统中时域均衡器(TEQ)的主要设计方法，指出最大缩短信噪比(MSSNR)TEQ的最优设计方法很难实时实现。提出了一种MSSNR TEQ的次优设计方法，它首先估计出目标抽样窗的最优延迟，然后用分步求解法求出TEQ的抽头系数。和最优方法相比，次优方法的计算量大幅度减少，可实时实现，而其缩短信噪比的损失很小。仿真实验验证了次优方法的有效性。     

SAW软扩频调制解调器的研究

报道了一种直接序列软扩频调制解调器的SAW实现方案，并给出了相应的实验结果。该方案对提高系统抗干扰能力、频宽利用等方面均具有与其他技术不同的特点。同时，该技术方案为进一步研究DS-OFDM打下了基础。     

微波体声波延迟线的电磁屏蔽

本文分析了微波体声波延迟线多层介质的电磁屏蔽效应，结果表明，全屏蔽方式可以有效地解决微波延迟线研制中的直通抑制问题。实验结果证实了理论分析。     

应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振

采用Agilent 81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1－xGaxAs1－yPy-MQW（Multiple-Quantum-Well,MQW）材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(Differential Group Delay,DGD)表征的偏振模色散(Polarization Mode Dispersion,PMD).研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的.因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响.     

具连续时滞Liénard方程概周期解的存在唯一性

结合Liapunov泛函，研究了具连续时滞Lienard方程概周期解的存在唯一性和安全一致渐进稳定性。