新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。     

线性调频的脉冲压缩雷达视频信号仿真

利用数字方法实现线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号具有诸多优点：信号模拟的精度高，灵活性好，幅度、相位补偿方便，可以模拟复杂情况，系统结构简单，可靠性高，可扩展性强。详细介绍了基于FPGA设计线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号的原理、结构、具体实现以及简要的性能分析。结果表明该方案性能良好，具有现实可实现性。     

贝克曼AllegraTM21R型超高速离心机故障排除一例

贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后，操作面板上出现错误代码“28”，离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动，由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2，并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验，仪器恢复正常。     

Electrochemically induced asymmetrical etching in InAlAs/InGaAs heterostructures for MODFET gate-groove fabrication

We have achieved a self-controlled asymmetrical etching in metalorganic chemical vapor deposition-grown InAlAs/InGaAs heterostructures, which can be suitable for fabricating modulation-doped field-effect transistors (MODFETs) with gate-groove profiles for improved performance. The technology is based on electrochemical etching phenomena, which can be effectively controlled by using different surface metals for ohmic electrodes. When surface metals of Pt and Ni are deposited on the source and the drain, respectively, the higher electrode potential of Pt results in slower etching on the source side than on the drain side. Thus, asymmetry of gate grooves can be formed by wet-chemical etching with citric-acid-based etchant. This represents a new possibility to conduct “recess engineering” for InAlAs/InGaAs MODFETs.     

采用基本门单元完全测试矢量的测试生成算法

文章介绍了一种采用基本逻辑门单元的安全测试矢量集生成测试矢量的方法，该方法可以将搜索空间限制在2(n 1）种组合内。它采用故障支配和故障等效的故障传播、回退等技术，建立了一套从局部到全局的测试生成新方法。同时，利用基本门单元安全测试矢量的规律性，可以实现最小的内存容量要求。在一些基准电路的应用实例中，得到了满意的结果。     

Optical Glucose Monitoring Based on Femtosecond Two-Color Pulse Interferometry

We demonstrate the potential of femtosecond two-color pulse interferometry for in vitro optical glucose monitoring, by dispersion of the group refractive index in a glucose solution sample with respect to a red-color light and a blue-color light. By comparison with femtosecond one-color pulse interferometry, the basic performance of the present system with regard to sensitivity, quantitativeness, and tolerance to surrounding disturbances, is evaluated. The resulting accuracy and precision of glucose determination are 77 and 118mg/dl for 10-mm-sample-thickness, respectively. This near-common-path configuration of the two-color pulse light provides good stability to fluctuations of sample temperature, which is important in clinical applications. Considering the performance of femtosecond two-color pulse interferometry as an optical glucose sensor, a suitable measurement site for in vivo optical glucose monitoring is discussed.     

可编程光学二值双轨逻辑门

基于双轨逻辑,本文提出一种可级联的并行二值逻辑门。所有十六种二值逻辑运算可以采用偏振半波相延编程来实现。也提出了用电光晶体实现实时编程的方法。本文中给出了实验结果。     

同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量