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1.
2.
在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。 相似文献
3.
4.
介绍了单端正向变换器基本电路,重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管(QFET)作为变换电路的主开关器件,降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。 相似文献
5.
In asynchronous transfer mode (ATM) networks, fixed length cells of 53 bytes are transmitted. A cell may be discarded during transmission due to buffer overflow or a detection of errors. Cell discarding seriously degrades transmission quality. The quality degradation can be reduced by employing efficient forward error control (FEC) to recover discarded cells. In this paper, we present the design and implementation of decoding equipment for FEC in ATM networks based on a single parity check (SPC) product code using very‐large‐scale integration (VLSI) technology. FEC allows the destination to reconstruct missing data cells by using redundant parity cells that the source adds to each block of data cells. The functionality of the design has been tested using the Model Sim 5.7cXE Simulation Package. The design has been implemented for a 5 ° 5 matrix of data cells in a Virtex‐E XCV 3200E FG1156 device. The simulation and synthesis results show that the decoding function can be completed in 81 clock cycles with an optimum clock of 56.8 MHz. A test bench was written to study the performance of the decoder, and the results are presented. 相似文献
6.
用波导本征模展开方法对用于高功率微波发射系统的方角锥高斯馈源口面场进行分析,提出结合馈源远场辐射特性和避免高功率击穿折衷选定相应的高斯模注腰半径,进而确定多个波导模幅值,从而为运用模匹配或耦合波理论设计高斯馈源提供依据。 相似文献
7.
可提前还款的定期贷款是隐含着期权的利率衍生物,本文建立CIR利率模型下可提前还款的定期贷款的数学模型,通过离散偏微分方程,建立了模型的计算方法,讨论了随机利率对提前还贷的影响. 相似文献
8.
饲喂频率对鲈鱼生长及体生化成分的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
选取同一种饵料设置1次·d-1、2次·d-1、3次·d-1、4次·d-14个饲喂频率,采用静水连续充气养殖系统,在盐度为26.0%~27.0%、温度为26~30℃条件下对鲈鱼(85.95±2.04)g进行为期40d的生长实验.结果表明:(1)饲喂频率影响鲈鱼的生长是由食物转化率和摄食率的提高共同引起的.(2)水分含量随饲喂频率的增高而保持不变;蛋白质含量随饲喂频率的增加,基本保持不变;脂肪含量随饲喂频率的增高而明显减少;灰分含量随饲喂频率的增多而明显增加.(3)鲈鱼的适宜饲喂频率为2次·d-1. 相似文献
9.
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
10.