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1.
基于混沌映射密钥空间拓展的DES算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
张卿  盛利元 《现代电子技术》2004,27(4):34-35,39
提出一种基于混沌映射产生一种伪随机密钥流发生器,并结合shanon的“一次一密”思想,建立一种基于混沌映射的“分组密码密钥空间拓展”理论,很好地解决DES加密算法密钥空间小的问题,实现了一种混沌的DES变形密码算法。  相似文献   
2.
介绍了几种常用的温度影响频扫天线测角误差的消除方法,由于实验设备、条件的限制以及制作频扫天线等效慢波线的材料、形状有别,这些方法在工程应用中都难以采用。本文提出了一种工程上较易实现的慢波线膨胀系数测量修正法,该方法简单实用,且能满足雷达测角精度的要求。  相似文献   
3.
设计了一种可展宽频带的U型切角天线。将U型贴片天线进行切角处理,改变天线的结构与电流路径,可以有效展宽天线频带,并使其具有良好的阻抗匹配特性。采用HFSS15.0软件对天线模型进行仿真分析,对切角的长度、宽度进行优化,给出了天线的反射系数S11与U型槽尺寸和切角尺寸间的关系。结果表明,优化后的U型切角天线覆盖了整个2.4~2.5 GHz频带范围,电压驻波比VSWR≤2的相对带宽为19%,天线增益达到7 dB,波束宽度为83o左右。  相似文献   
4.
充分发挥软件功能提高试题库组卷的质量   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据目前教学改革要求和‘电工学试题库’成卷质量的存在问题,提出用试题库本身的系统软件,对试卷或试题库试题进行修改的方法。  相似文献   
5.
光子晶体平面波导与脊波导高效耦合技术的研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
柏宁丰  刘旭  肖金标  张明德  孙小菡 《物理学报》2005,54(10):4933-4937
利用一维变周期谐振腔阵列和非线性缓变边界,可以实现光波从脊波导到光子晶体平面波导 (PCW)的高效耦合.基于平面波展开法(PWE)和时域有限差分法(FDTD),深入分析和讨 论了普通脊波导、2D-PCW结构和本征模以及工作模式、缓变边界形状等对耦合效率的影响, 从而得出光波从脊波导到2D-PCW、再返回脊波导的统一图景.指出考虑模式转换和采用缓变 边界条件可以极大提高PCW与脊波导间的耦合效率.对PC-PW边界采用线性和非线性缓变结构 进行了仿真,讨论了边界缓变程度对耦合效率的影响.结果表明,采用模式耦合和PC-PW余弦 缓变边界时的耦合效率在较宽的带宽内超过了95%. 关键词: 光子晶体波导 脊波导 PWE FDTD 耦合边界  相似文献   
6.
岩石(煤)的碎胀与压实特性研究   总被引:36,自引:1,他引:36  
缪协兴  茅献彪 《实验力学》1997,12(3):394-400
本文通过自行设计的一套岩石(煤)的松散和压实试验方案及相应的实验设备,对兖州矿区岩(煤)样进行了较为系统的碎胀与压实特性研究,测定了岩石(煤)的碎胀系数、碎胀曲线、压实曲线和侧压曲线.  相似文献   
7.
介绍了扩束型光纤连接器的基本原理,定量分析了它的损耗机理,即包括可变损耗和固定损耗。可变损耗主要是由于系统各单元之间的对准误差引起的,包括径向偏移损耗、纵向偏移损耗以及轴向倾角损耗,其中影响最大的是径向偏移损耗;其次是轴向倾角损耗、固定损耗、纵向偏移损耗。固定损耗是由系统自身所用材料、表面处理决定的,包括菲涅耳损耗、球差损耗、衍射损耗、色散损耗、吸收损耗等。给出了降低损耗的有效方法。  相似文献   
8.
一种可展宽频带的微带贴片天线   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种可展宽频带的微带贴片天线。通过对普通矩形微带贴片天线进行切角而展宽频带。由贴片天线的谐振频率和该贴片上的电流分布出发,研究了产生宽带特性的机理。采用基于有限元算法的高频电磁场仿真软件ANSOFTHFSS对该天线的电特性进行计算,结果表明:该天线的阻抗带宽(S11〈-10dB)达到16%(370MHz)。证明了该方法的有效性。  相似文献   
9.
In this letter, we study discretized mKdV lattice equation by using a new generalized ansatz. As a result,many explicit rational exact solutions, including some new solitary wave solutions, are obtained by symbolic computation code Maple.  相似文献   
10.
借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。  相似文献   
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