仪器仪表产品脉冲耐压试验要求和保护器件的选择

仪器仪表产品的脉冲耐压试验是产品型式试验、例行试验中的基本内容。通过对GB4793.1标准的整理,归纳了仪器仪表产品的脉冲耐压试验要求。通过对试验方法和设备特性的梳理,总结了特性参数,并介绍了应对脉冲耐压试验可采取的保护器件的类别及选用方法。     

新形势下电气工程及其自动化专业人才培养模式与知识体系框架

在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上，根据科学技术和社会经济发展的要求，提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求，提出了该专业人才的知识框架体系。     

光电平台无角位移减振机构运动分析

分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响，应用空间机构学原理和减振理论，设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析，并利用三维建模软件和MSC．Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析，通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。     

高功率脉冲水中放电的应用及其发展

首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理，然后综合论述了其应用和研究的状况，从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术，以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究，最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。     

电子电路中抗EMI设计

电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

点阴极电场辅助阳极连接中的紧密接触面积和电流

用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应，计算了连接电流，连接孕育期和紧密接触面积，本文结果表明，连接初期电流迅速衰减，随后缓慢变小，直至某一稳定值，孕育期随温度上升指数下降，连接温度高时，孕育期将难以观察到；待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展，紧密接触区域增大时，其边界向外推进速度渐小，而接触面积增加渐快。     

纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

Structural and electronic properties of CuInSe2

Structural investigation on monocrystalline CuInSe₂ samples has been made. From the single crystal results, the space group of CuInSe₂ was confirmed to be Iˉ42d and the crystal solidification direction was investigated. Compositional uniformity of the ingots was established by EPMA and it was found that the indium concentration was greater than that for copper. Systematic annealing experiments were carried out in vacuum at different temperatures (as low as 160° C) and for different times. Large variation in resistivity was observed after the annealing treatment. P-type samples were found to convert to n-type after the heat-treatments.     

提高塑封双列直插式光耦合器绝缘耐压的设计和工艺要点

介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点，从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。